素坯高压成型对纳米4YSZ烧结的影响

在纳米 4YSZ粉中加入少量纳米Al2 O3 粉 ,素坯两次 40 0MPa加压成型后在 4GPa高压下再成型 ,素坯相对密度达 72 4 %,降低了烧结致密温度。超密实坯体在 110 0℃常压下烧结 2小时 ,陶瓷体致密度达 99 2 %。烧结样品的晶胞四方度atc- 1t 为 1 0 12 ,晶胞体积V为 0 132nm3 。 110 0℃常压煅烧 ,烧结体晶粒大小在 40～ 70nm。烧结体研磨成粉后含有 12～ 14%的单斜相。

纳米Al_2O_3对纳米4YSZ复相陶瓷结构和性能的影响

以纳米 4YSZ和纳米Al2 O3 粉末为原料 ,对掺少量Al2 O3 的 4YSZ无压烧结体的烧结特性、结构和性能进行了研究。掺适量的Al2 O3 可降低烧结温度 ,减缓 4YSZ晶粒的长大。少量的交接渗透强化了晶界 ,烧结体断裂倾向于穿晶断裂 。

NiO掺杂对4YSZ导电性能的影响

以氧氯化锆、硝酸钇和氯化镍为原料,柠檬酸为络合剂,制备了掺NiO的4YSZ凝胶,将凝胶在500℃煅烧后,压制成圆片状,在1300℃烧结2h得到所需试样;研究NiO的不同掺量对试样的烧结性能、电导率的影响。结果表明掺NiO可提高试样的烧结性能和电导率;当Ni元素为4mol%时,试样相对密度达95.20%,其在700℃的电导率达2.40×10-3S.cm-1。

Fe_2O_3、Cr_2O_3掺杂对4YSZ导电性能的影响

用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了分别掺Fe2O3和Cr2O3的4YSZ前驱体凝胶,凝胶在500℃预烧,压制成圆片状后在1 300℃煅烧2 h得到所需试样;分别研究Fe2O3、Cr2O3的不同掺量对试样的烧结性能、电导率的影响。结果表明掺Fe2O3可提高试样的电导率和烧结性能;掺Cr2O3可提高试样的低温电导率,但使试样的烧结性能下降。

退火温度对（STO/YSZ/GDC）4超晶格电解质薄膜的影响

采用脉冲激光沉积技术(PLD),在Al2O3单晶基底上交替沉积SrTiO3(STO)、8%(摩尔分数)Y2O3掺杂ZrO2(YSZ)和Ce0.9Gd0.1O2-δ(GDC),制备出四种不同退火温度的超晶格电解质薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X-荧光光谱仪和射频阻抗材料分析仪对不同退火温度下的样品进行形貌、元素组成和电学性能测试。结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的外延生长更为良好,晶粒的均匀性和致密性得到改善,薄膜和基底的结合变的紧密、清晰。(STO/YSZ/GDC)4超晶格电解质薄膜在退火温度为800℃时电导率最大。