5-溴水杨醛甘氨酸修饰碳糊电极测定微量Cu^(2+)的研究

在pH=9.0 H3BO3-Na2B4O7缓冲体系中,以5-溴水杨醛甘氨酸修饰碳糊电极为工作电极,Cu2+于+120mV(vs.SCE)处产生一灵敏的吸附波,其二阶导数峰电流与Cu2+浓度在4.0×10-9~8.0×10-7mol.dm-3范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.9964,检出限为6.0×10-10mol.dm-3(3倍信噪比)。应用该法测定发样中Cu2+的含量,结果令人满意。

手性Salen金属配合物修饰碳糊电极的制备及对甲醛的电催化氧化

以3,5-二叔丁基水杨醛和(1R,2R)-环己二胺为原料,合成了(R,R)-N,N-二(3,5-二叔丁基水杨醛)-1,2环己二胺钴配合物(Salen-Co(Ⅱ)配合物),并以此作为化学修饰剂,利用直接混合法将化学修饰剂、粘合剂和石墨粉按一定比例研磨混合制作成西夫碱钴配合物修饰碳糊电极(Salen-Co/CPE).实验表明,该西夫碱钴配合物修饰碳糊电极对甲醛具有良好的电催化作用.利用计时电流法,在优化的实验条件下,氧化峰电流与甲醛的浓度在3.0×10-2～1.2×10-1mol/L的范围内具有良好的线性关系,检出限为3.33×10-3mol/L.

石墨烯/聚邻苯二胺膜修饰碳糊电极电催化性能的研究

研制了一种新型的石墨烯／聚邻苯二胺膜饰碳糊电极（GR／PPD／CPE）。在Nail2P04-NazHP04缓冲溶液（pH7．3）中，利用循环伏安法研究了对苯二酚（HQ）和邻苯二酚（cc）在该修饰电极上的电化学行为，利用线性扫描溶出伏安法研究了扫速与峰电流或峰电位的关系，利用微分脉冲溶出伏安法测定了HQ和CC的含量，线性范围分别为6．5×10-7～5．0×10-4mol／L和1．0×10-7～5．0×10-4mol／L，检出限（S／N=3）分别为8．0×10-8mol／L和2．0×10-7mol／L。方法用于自来水样中的HQ和CC的测定，回收率在96．5％～102．5％之间。