基于55nm CMOS工艺的通带可控和增益可调的有源RC低通滤波器

提出了一种低电压、低功耗的有源RC低通滤波器,该滤波器是由Biquad二阶RC滤波器与单极点滤波器构成的三阶巴特沃斯有源RC滤波器;滤波器采用55nm CMOS工艺,在电源电压为1.2V下的功耗为2mW,带内波纹系数小于0.3dB;通过数字模块控制可实现2.28MHz、4.56MHz和28MHz三种通带的自由切换和0~24dB灵活可控的增益范围;该滤波器在芯片中的所占面积仅为0.23mm^(2),能更好地满足数模集成芯片多功能、小型化的需求。

带温度补偿的Ka波段CMOS堆叠功率放大器设计

介绍了一款基于55 nm CMOS工艺,带温度补偿电路的Ka波段堆叠高效功率放大器(power amplifier,PA).采用了一种新型的针对晶体管堆叠结构的温度补偿电路,该补偿电路由两个二极管和四个电阻组成,结构简单,易于实现.通过调整堆叠放大器各个栅极偏置电路中的电压,使得PA随温度变化的增益和输出功率得到有效补偿,增强了电路的可靠性和热稳定性.基于Agilent ADS软件的版图仿真结果显示:电路的最大输出功率为20.1 dBm,频带内功率附加效率(power additional efficiency,PAE)为20%~30%,大信号功率-1 dB带宽为15 GHz(46%).在-40℃到125℃的温度范围内,采用新型温补偏置电路与传统偏置电路相比,小信号增益的温度波动从2.2 dB改善到0.1 dB,显著提高了功放的热稳定性,证明了所提出的温度补偿电路对于在宽温度范围内校正功率放大器增益变化的有效性.