基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDlite^(TM)工艺的微型CMOS五电极垂直型霍尔器件的研究

为了解决五电极垂直型霍尔器件(5CVHD)电流灵敏度较低以及器件流片迭代周期较长、成本较高的问题,基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工艺在有限元分析软件COMSOL中进行器件结构设计和仿真,研究器件结构和工艺参数对5CVHD性能的影响,并且选取代表性参数进行流片与测试。通过仿真和流片实测发现,减小电极长度(w)和探测电极与中间偏置电极距离(d2),增加器件长度(l)以及添加一层P型覆盖层有助于提高5CVHD的性能,当有源区深度为7μm时,2.5μm厚度的P型覆盖层能够改善5CVHD的性能。