钛酸铋钠Bi0．5Na0．5TiO3（BNT）的制备工艺

结合钛酸铋钠Bi0．5Na0．5TiO3（BNT）的性质，介绍了钛酸铋钠Bi0．5Na0．5TiO3（BNT）的制备工艺。

LiSbO3含量对BiMnO3掺杂K(0.5)Na(0.5)NbO3陶瓷的结构与压电性能的影响研究

采用传统陶瓷常压烧结工艺制备(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06)无铅压电陶瓷,着重研究了LS的含量对(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS陶瓷相结构和压电性能的影响。结果表明,当x≤0.02时,陶瓷具有单一的正交相结构;当0.03≤x≤0.05时,陶瓷具有正交相与四方相共存的过渡结构;当x=0.06时,陶瓷具有单一的四方相结构。陶瓷的MPB成分范围在0.03≤x≤0.05。随着LS含量的增加,陶瓷材料的d33和kp均先增加后减小,当x=0.05时,均达到最大值,分别为230 pC/N和0.42;陶瓷的To-t和Tc均向低温方向移动;当x=0时,陶瓷的To-t和Tc分别为455和215℃;当x=0.02时,陶瓷的To-t和Tc分别为385和150℃;当x=0.06时,To-t和Tc分别降至370℃和75℃。

Bi(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3对Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基陶瓷相结构及弛豫性的影响

采用固相反应合成法制备了(1-x)(0.96 Bi0.5Na0.5TiO3-0.04 BaTiO3)-xBi(Zn0.5Ti0.5)O3陶瓷(x≤0.10)。通过X射线衍射,介电温度谱等对该体系陶瓷的相结构及弛豫特性进行了研究。结果发现,该陶瓷在Bi(Zn0.5Ti0.5)O3加入量低于0.05时呈现纯钙钛矿结构。此外,随着Bi(Zn0.5Ti0.5)O3加入量的增加,其相结构由三方-四方共存向赝立方结构转变;同时,陶瓷的弥散因子上升,偶极子取向冻结活化能下降,表明BZT的加入明显地增加了0.96Bi0.5Na0.5TiO3-0.04 BaTiO3陶瓷的弛豫性。

(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3陶瓷高频介电性能研究

以传统电子陶瓷工艺制备了致密性较好的(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷。研究了(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷在低频及高频的介电性能。结果表明:在低频和高频,(K0.5Na0.5)NbO3的介电性能随频率的增加而减小;在高频,介电损耗随频率的增加先增加后减小。(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷在高频(8-18GHz)时的介电常数实部,虚部及介电损耗分别为150-430,5-110和0.07-0.28。

0.992K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-0.008BiFeO_3无铅压电陶瓷制备及压电性能研究

以水热法制备的KNbO3,NaNbO3,BiFeO3(BF)粉体等为原料,采用常压烧结法在1065℃下烧结2h制备了0.992K0.5Na0.5NbO3-0.008BiFeO3无铅压电陶瓷,并研究了BiFeO3掺杂对0.992K0.5Na0.5NbO3-0.008BiFeO3无铅压电陶瓷结构和压电的影响.研究结果表明:BiFeO3掺杂使K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷正交相减弱,晶粒尺寸由6μm减小到1μm;压电性能有一定提高,压电常数(d33)、机电耦合系数(kp)分别达到120pC/N和37.8,居里温度Tc由444.4℃减少至420.6℃.

乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT无铅压电薄膜

以乙醇作溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,利用溶胶-凝胶法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)无铅压电薄膜。通过红外光谱(IR)、同步热分析仪(TG-DSC)、X线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等分析了乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT压电薄膜的工艺参数。结果表明,乙酰丙酮与Ti(OC4H9)4的物质的量比(N)≥1.0时,反应温度4060℃,pH=2.02.5,能获得稳定性良好的乙醇基溶胶;采用旋涂法制备的湿膜在600℃热处理30min后,可得表面光亮平整,厚度均一,致密性良好,单一钙钛矿结构的BNKLT无铅压电薄膜。

乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT粉体及压电陶瓷

以乙醇为溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)纳米粉体和无铅压电陶瓷。利用IR,TG-DSC,XRD,SEM等测试技术研究了乙醇基Sol-Gel法制备BNKLT纳米粉体及无铅压电陶瓷的工艺参数。实验表明,乙酰丙酮与钛酸四丁酯的摩尔比N≥1.0时,反应温度60℃,pH=2.0～2.5时,能制备出稳定性良好的乙醇基溶胶,凝胶在600℃内预烧即可获得单一钙钛矿结构的BNKLT纳米粉体,晶粒大小约20nm,并于1 050℃条件下烧结出致密度较高的陶瓷。性能测试表明,该方法制备的压电陶瓷俱有优良的电学性能:压电常数d33=192pC/N,机电耦合系数kp=0.32,介电常数εr=1 096,介电损耗tanδ=0.039,品质因数Qm=79。

K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3^-)LiSbO_(3^-)BiFeO_3/CuFe_2O_4复合陶瓷的制备与磁电性能研究

采用传统的固相法制备了(1x)(K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiFeO3)-xCuFe2O4(x=0.1,0.2,0.3,0.4)磁电复合陶瓷,并借助X射线衍射仪、扫描电镜和磁电耦合系数测试仪等对复合陶瓷的微结构和性能进行了分析.结果表明,复合陶瓷的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiFeO3和CuFe2O4物相之间发生了一定的离子相互扩散作用,且两相的颗粒大小匹配性较好.随着CuFe2O4含量增加,复合陶瓷的压电系数从130pC/N减小到30pC/N,饱和磁致伸缩系数从4.5×10-6增加到12.4×10-6左右,磁电耦合系数表现出先增加后减小,在x=0.3时获得最大的磁电耦合系数9.4mV·cm-1·Oe-1.