具有D_(3h)对称性构型的B_2H_6分子的杨-泰勒效应与能级分裂

文中依据杨-泰勒效应理论与配位场理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了B_2H_6分子在具有D_(3h)对称性构型的情况下,Ee′系统的杨一泰勒效应及其相关问题.研究了B_2H_6分子的电子态与声子态以及活跃声子态,构建了B_2H_6分子的Ee′杨-泰勒系统的电声耦合哈密顿量,利用么正平移变换将系统的哈密顿量分解为无声子激发部分与有声子激发部分之和,由此计算出了Ee′杨-泰勒系统的基态与激发态及其能级.结果表明由于电声耦合作用的缘故,在Ee′系统的势能面上形成了四个具有C_(2v)对称性势阱.无论系统处在哪一个势阱中,系统初始的二重简并的能级都将发生分裂,因此杨-泰勒畸变导致系统能级的简并性完全被消除.文中利用群论又进一步探讨了系统的杨-泰勒畸变方向与能级分裂方式,发现系统的杨-泰勒畸变方向是D_(3h)→C_(2v),能级的分裂方式为E′→A_1+B_2或者E″→A_2+B_1.

C_6H_6高频谱的代数方法计算

利用Iachello-Oss的代数模型描述了振子数高达10的C6H6分子和C6D6分子C-H拉伸键的能谱达到了很好的精度,并在对称玻色表象里计算了分子的哈密顿量.

InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算

为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能.

核结构研究中的相互作用玻色子模型

本文描述了近年来核结构研究领域中的一种新的成功的唯象理论——相互作用玻色子模型,论述了模型的基本假定,唯象哈密顿量的群结构,以及具有动力学对称性的极限情况。最后介绍了该模型的部分研究近况。

基于增益特性的光抽运垂直外腔面发射激光器优化设计

介绍了光抽运垂直外腔面发射激光器的材料增益特性,以InGaAs/AlGaAs应变量子阱系统为例,建立了将带边偏置、能带结构和材料增益系统结合起来的理论模型。用Model-Solid模型确定带边偏置比,然后采用导带抛物线近似及价带6×6Luttinger哈密顿量精确计算了能带结构和材料增益。基于对材料增益特性的分析研究,优化设计了1μm波段的量子阱有源区,分别对量子阱的阱宽、阱深和阱的构成形式进行了优化设计并得到了最优选择,为光抽运垂直外腔面发射激光器的优化设计提供了理论依据。

应变量子阱能带结构数值分析

以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,讨论了量子阱结构中的应变效应,用k·p微扰理论给出包括重空穴带、轻空穴带和自旋-轨道分裂带相互作用和考虑应变作用的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,利用Matlab精确求解,并进行数值模拟得到了布里渊区中心的导带结构、价带结构和包络函数。结果表明,应变的引入使晶体产生畸变,改变了晶体结构的对称性,进而改变了材料的能带结构,提供了一种有效的能带裁剪手段。特点是将带隙、带边偏置比和能带结构计算系统结合起来,构成一个完整体系,该模型同样适用于其他Ⅲ-Ⅴ族的半导体量子阱的能带结构。