高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm^-2,电阻率范围为0.02~0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。

Z型光催化剂Sb_2WO_6/g-C_3N_4的制备及光催化性能

通过水热反应合成了Sb_2WO_6改性的g-C_3N_4复合材料(Sb_2WO_6/g-C_3N_4).通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见漫散射反射光谱(UV-Vis DRS)和光致发光光谱(PL)等表征了样品的性质.结果表明,Sb_2WO_6在g-C_3N_4的表面上生长,并且复合材料光吸收能力有一定的增强,光生电子-空穴的重组率降低.通过罗丹明B(Rh B)的光降解评价了Sb_2WO_6/g-C_3N_4复合材料的光催化性能.结果表明,模拟日光下Sb_2WO_6质量分数为10%的Sb_2WO_6/g-C_3N_4复合材料在60 min内对Rh B的降解率为99. 3%,高于纯g-C_3N_4和Sb_2WO_6. Sb_2WO_6/g-C_3N_4复合材料的这种高度增强的光催化活性主要归因于强的界面相互作用促进了光生电子-空穴分离和迁移.添加自由基清除剂的实验结果表明,·O^(2-)和h^+是光催化反应中的主要活性物质. Sb_2WO_6/g-C_3N_4复合材料在几个反应周期内表现出优异的稳定性.根据实验结果提出了一种可能的Z型光催化机理.

功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺

综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面。重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触的工艺,包括以金属Ni为基础并结合Ti和Al与W等金属所形成的各种复合接触材料、通过合适的合金化退火工艺后得到的合金相、形成欧姆接触后得到的比接触电阻率,讨论了可能的欧姆接触形成机理,评估了其热稳定性/可靠性。讨论了在工艺上增加保护层对Ni基n/p型4H-SiC欧姆接触的性能以及热稳定性/可靠性等性能的影响。最后,评估了该工艺的研发现状和存在的问题,并提出未来的展望。

PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越多,晶片电阻率分布越均匀。但掺氮量过多会导致晶体结晶质量下降。电阻率的分布与背景B和Al含量相关,随着C/Si的升高,生长台阶的降低,电阻率升高。通过调整温场和优化掺氮工艺,获得了结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。

g-C3N4量子点修饰球形Bi2WO6及其光催化活性增强机制

采用水热法制备三维分级结构Bi2WO6,在此基础上采用浸渍-焙烧法将g-C3N4量子点成功沉积在Bi2WO6的表面,获得Z-型结构g-C3N4/Bi2WO6光催化剂。采用XRD,FE-SEM,TEM,UV-Vis-DRS测试手段对催化材料的组成、形貌和光吸收特性进行表征。以亚甲基蓝(MB)和对硝基苯酚(p-NPh)为模型污染物,考察g-C3N4量子点表面修饰对Bi2WO6光催化活性的影响。结果表明:所得Bi2WO6为三维分级多孔结构,孔尺寸约为10nm,浸渍-焙烧法可将尺寸约5nm的g-C3N4量子点沉积在其二级结构纳米片表面。Z-型结构g-C3N4/Bi2WO6光催化剂的催化活性优于纯Bi2WO6的,且10%g-C3N4/Bi2WO6(质量分数)异质光催化剂对MB的降解表观速率常数(kapp)分别为纯Bi2WO6和g-C3N4的4.5倍和5.8倍,对p-NPh的kapp分别为纯Bi2WO6和g-C3N4的2.6倍和1.6倍。O2·是光催化过程中的主要活性物种。g-C3N4量子点与Bi2WO6形成异质结,有利于拓宽光响应范围的同时有效抑制了Bi2WO6光生电子与空穴的复合,从而提高了催化剂的活性。

H_6M_4(N_2H_2)_3(M=Al,Ga)簇合物的结构、红外光谱和热力学性质研究

采用自洽场方法(HF)和密度泛函(DFT)的B3LYP方法,在6 31G 水平下,研究了H6M4(N2H2)3(a M=Al,b M=Ga)簇合物的几何构型、电子结构、红外光谱及热力学性质.结果表明:N-N键比肼中N-N键长,有进一步裂解的趋势.振动频率计算表明:铝、镓的肼簇合物为基态稳定结构.

6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制

基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。

显微激光拉曼光谱法鉴别SiC晶体的多型体结构

利用显微激光拉曼光谱法对掺氮 6H SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别 ,结果表明其中有 4H SiC和 15R SiC两种寄生多型体。不同SiC多型体的纵光学声子与等离子体激元的耦合模 (LOPC模 )表明 :在掺氮 6H SiC单晶的生长条件下 ,6H SiC的掺氮效应与 4H SiC存在明显差别 ,而与 1 5R

n型6H-SiC拉曼散射光谱的温度特性（英文）

三片具有不同载流子浓度的n型6H-SiC体材料用于83K到673K的变温拉曼散射研究,能够得到变温的拉曼散射模。通过测量可以得到,随着温度的增长,不同的声子散射模的拉曼峰逐渐变小。运用声子频率的温度特性计算公式,对三片样品的三个声子模的峰位进行拟合能够得到很好的拟合结果。6H-SiC样品的纵光学声子模(LOPC)的拉曼位移像其他的拉曼模一样,随着温度的增加而变小。在较高的温度时所有的声子模明显展宽。

STAT6识别N4位点DNA的结构基础被揭示

天然免疫又称为固有免疫,存在于所有多细胞生物中,从1883年发现细胞的吞噬现象至今,天然免疫的研究经历了130多年,但是直到20世纪90年代,

Co_(3)O_(4)/KIT-6催化剂催化分解N_(2)O反应研究

本文采用等体积浸渍法将活性组分Co_(3)O_(4)负载到具有大比表面积、独特三维交联介孔道的KIT-6分子筛上,制备一种负载型的Co_(3)O_(4)/KIT-6催化剂,并用于催化分解N_(2)O反应.研究发现,负载Co_(3)O_(4)后的催化剂不仅保持了KIT-6有序的介孔结构,同时增大了催化剂的有效比表面积,提高了活性组分Co_(3)O_(4)的利用率,其催化活性基本与纯Co_(3)O_(4)相持平.通过对不同负载量的Co/KIT-6催化剂的活性测试发现,该催化剂的活性随着Co负载量的增加而提升.通过对30%Co/KIT-6催化剂的稳定性测试及其在杂质气体存在条件下的活性测试,表明30%Co/KIT-6催化剂具有较好的催化稳定性和杂质气体抗性,适用于实际工业生产尾气中的N_(2)O处理.