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沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
被引量:
1
1
作者
刘莎
徐源来
+2 位作者
赵培
李紫琪
陈志杰
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期640-647,共8页
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K...
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K至1173 K时制备了具有(111)择优取向的紫铜色铜薄膜,同时存在(200)和(220)取向,且铜晶粒呈岛状生长模式。随着沉积温度的升高,薄膜的导电性先增强后减弱。在1073 K时,制得了导电性最好且高度(111)择优取向的最纯紫铜色Cu薄膜,即1073 K为制备Cu薄膜的最佳沉积温度。
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关键词
双(2
2
6
6-四甲基-3
5
-
庚二酮)化铜
Cu薄膜
化学气相沉积
沉积温度
(111)择优取向
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职称材料
化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究
被引量:
2
2
作者
李紫琪
赵培
+3 位作者
刘莎
陈志杰
李哲成
潘天宇
《武汉工程大学学报》
CAS
2021年第2期181-186,191,共7页
以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al_2O_3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr_3C_2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr_3C_2薄膜的相组成、择优取向、...
以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al_2O_3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr_3C_2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr_3C_2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响。结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度(130)择优取向的Cr_3C_2薄膜。随着沉积温度的升高,Cr_3C_2薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大。在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的(130)择优取向的最佳Cr_3C_2薄膜。同时,在实验条件下Cr_3C_2薄膜表面存在少量的碳和Cr_2O_3。
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关键词
碳化铬薄膜
化学气相沉积
三(2
2
6
6-四甲基-3
5
-
庚二酮)化铬
沉积温度
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职称材料
题名
沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
被引量:
1
1
作者
刘莎
徐源来
赵培
李紫琪
陈志杰
机构
绿色化工过程教育部重点实验室化工与制药学院武汉工程大学
武汉工程大学材料科学与工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期640-647,共8页
基金
国家自然科学基金面上基金资助项目(51972241)。
文摘
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K至1173 K时制备了具有(111)择优取向的紫铜色铜薄膜,同时存在(200)和(220)取向,且铜晶粒呈岛状生长模式。随着沉积温度的升高,薄膜的导电性先增强后减弱。在1073 K时,制得了导电性最好且高度(111)择优取向的最纯紫铜色Cu薄膜,即1073 K为制备Cu薄膜的最佳沉积温度。
关键词
双(2
2
6
6-四甲基-3
5
-
庚二酮)化铜
Cu薄膜
化学气相沉积
沉积温度
(111)择优取向
Keywords
Cu(DPM)2
Copper thin film
Chemical vapor deposition
Deposition temperature
(111)Preferred orientation
分类号
TN44 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究
被引量:
2
2
作者
李紫琪
赵培
刘莎
陈志杰
李哲成
潘天宇
机构
武汉工程大学材料科学与工程学院
出处
《武汉工程大学学报》
CAS
2021年第2期181-186,191,共7页
基金
国家自然科学基金(51972241)。
文摘
以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al_2O_3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr_3C_2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr_3C_2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响。结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度(130)择优取向的Cr_3C_2薄膜。随着沉积温度的升高,Cr_3C_2薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大。在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的(130)择优取向的最佳Cr_3C_2薄膜。同时,在实验条件下Cr_3C_2薄膜表面存在少量的碳和Cr_2O_3。
关键词
碳化铬薄膜
化学气相沉积
三(2
2
6
6-四甲基-3
5
-
庚二酮)化铬
沉积温度
Keywords
Cr
3
C2 film
chemical vapor deposition
tris(2,2,
6
,
6
-
tetramethyl
-
3
,5
-
heptanedione)chromium
deposition temperature
分类号
TG144 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
刘莎
徐源来
赵培
李紫琪
陈志杰
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
2
化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究
李紫琪
赵培
刘莎
陈志杰
李哲成
潘天宇
《武汉工程大学学报》
CAS
2021
2
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职称材料
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