0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究

为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加;2)NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大;3)栅极电流辐照后稍有增加,失配随栅极电压的增加而增大。而PMOS差分对管在整个辐照过程中,无论是曲线还是参数均未出现明显变化,且失配亦未随辐照总剂量的增加而增大。