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600伏高压LDMOS的实现
被引量:
7
1
作者
项骏
林争辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2004年第11期149-152,共4页
综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。
关键词
RESURF技术
内场限环技术
双层浮空场板技术
PISCES—П
600伏高压ldmos
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职称材料
题名
600伏高压LDMOS的实现
被引量:
7
1
作者
项骏
林争辉
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2004年第11期149-152,共4页
文摘
综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。
关键词
RESURF技术
内场限环技术
双层浮空场板技术
PISCES—П
600伏高压ldmos
Keywords
RESURF, IFR and FFP technique, PISCES-П,
600
v high voltage
ldmos
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
600伏高压LDMOS的实现
项骏
林争辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2004
7
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