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杂质对单晶硅材料硬度的作用
被引量:
5
1
作者
李东升
杨德仁
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期798-803,共6页
室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响 .实验发现 ,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性——晶向有关 ,还与所掺入杂质的种类和浓度有关 .损伤造成的裂纹倾向于沿着〈1 1 0〉晶向扩展 ,而且 { 1...
室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响 .实验发现 ,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性——晶向有关 ,还与所掺入杂质的种类和浓度有关 .损伤造成的裂纹倾向于沿着〈1 1 0〉晶向扩展 ,而且 { 1 1 1 }面上的硬度要大于 { 1 0 0 }面 .重掺 n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降 ;相反 ,重掺
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关键词
硬度
杂质
硅单晶
晶向
PACC
6170L
6170M
6170r
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职称材料
题名
杂质对单晶硅材料硬度的作用
被引量:
5
1
作者
李东升
杨德仁
阙端麟
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期798-803,共6页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 )
教育部留学回国人员基金
国家高技术研究发展计划 ( No.2 0 0 2 AA3 Z1111)资助项目~~
文摘
室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响 .实验发现 ,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性——晶向有关 ,还与所掺入杂质的种类和浓度有关 .损伤造成的裂纹倾向于沿着〈1 1 0〉晶向扩展 ,而且 { 1 1 1 }面上的硬度要大于 { 1 0 0 }面 .重掺 n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降 ;相反 ,重掺
关键词
硬度
杂质
硅单晶
晶向
PACC
6170L
6170M
6170r
Keywords
hardness
impurities
silicon single crystal
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
杂质对单晶硅材料硬度的作用
李东升
杨德仁
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
5
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职称材料
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