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640×512红外焦平面探测器前端噪声分析及抑制技术 被引量:6
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作者 刘宁 陈钱 +1 位作者 顾国华 隋修宝 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第10期572-575,582,共5页
以国产MWKGC04型640×512中波凝视热像仪整机的研制项目为基础,对探测器前端驱动电路中的3种主要噪声——传输网络噪声,偏置电压噪声和信号调理放大器噪声特性进行了深入的分析,结合MWKGC04探测器的主要性能指标,通过理论分析了前... 以国产MWKGC04型640×512中波凝视热像仪整机的研制项目为基础,对探测器前端驱动电路中的3种主要噪声——传输网络噪声,偏置电压噪声和信号调理放大器噪声特性进行了深入的分析,结合MWKGC04探测器的主要性能指标,通过理论分析了前端驱动电路噪声的来源,并结合各部分的噪声模型加以推导,最终提出了行之有效的降低这3种主要噪声的方法,并且已经在实际的工程应用上收到的成果。 展开更多
关键词 640×512 驱动电路 噪声分析 理论模型
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3英寸Si基碲镉汞分子束外延工艺研究 被引量:8
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作者 巩锋 周立庆 +3 位作者 王经纬 刘铭 常米 强宇 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期781-785,共5页
随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通... 随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通过采用金相显微镜、傅里叶红外光谱仪、双晶X射线衍射仪、湿化学腐蚀位错密度(EPD)法、Hall测试系统等检测手段对Si基中波碲镉汞分子束外延薄膜材料进行表面、光学、结构和电学性能表征,并采用标准平面器件工艺制备中波640×512焦平面探测阵列进行材料验证,结果表明该材料性能与国际先进水平相当。 展开更多
关键词 硅基碲镉汞 分子束外延 640×512器件 表征
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InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器 被引量:1
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作者 李云涛 张舟 +7 位作者 丁颜颜 杨煜 雷华伟 汪良衡 谭必松 张传杰 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期731-734,共4页
武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为... 武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。 展开更多
关键词 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 640×512 长波红外 焦平面探测器
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