先进制造封装中Sb掺杂64Sn-35Bi-1Ag钎焊腐蚀和电化学迁移

采用动电位扫描结合SEM和XRD等技术研究先进电子制造封装过程中Sb掺杂对64Sn-35Bi-1Ag钎焊料在3%(wt.)NaCl溶液中腐蚀和电化学迁移行为影响。结果显示:Sb掺杂前后腐蚀电流密度(Icorr)随着Sb含量增加而有较显著的变化。其中当Sb含量小于1%时,随着Sb含量增加,其腐蚀电流密度(Icorr)减小。当Sb含量大于1%时,其腐蚀电流密度(Icorr)随着Sb含量的增大而增大;不论掺杂多少量,Sb掺杂后,钎料的腐蚀速率显著的增大,说明Sb掺杂后64Sn-35Bi-1Ag更易被腐蚀。电化学迁移结果显示,Sb掺杂前后,枝晶生长的速率显著不同,且枝晶成份有较大差异,掺杂后大于掺杂前,说明Sb掺杂不利于先进电子制造和封装技术。