65nm芯片设计和制造中的几个问题

65nm芯片的设计需要采用可制造性设计(DFM)、多种分析方法和团队通力合作的精神;65nm芯片制造工艺需采用193nm浸入式光刻技术、等效离子掺杂技术、原子层沉积技术、低应力CMP工艺及无损伤清洗技术;65nm芯片制造设备需要全自动化和布局微型化等。

65nm工艺及其设备

介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。

高性能多核处理器申威1600

申威1600是国内首款16核高性能通用处理器,具有高性能、低功耗等特点.本文首先介绍了申威1600处理器的研制背景,然后详细描述了申威1600在结构设计、性能提高以及降低功耗各方面的设计思路,给出了物理实现结果和性能与功耗测试数据,并介绍了申威1600在高性能计算机上的应用情况,最后提出未来发展的思路.