通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的...通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。展开更多
文摘通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。