G.657 A2光纤在干线中的应用

在对比ITU-TG.657 A2与G.652 D光纤标准的基础上,介绍了G.657 A2光纤的设计和主要性能参数,对G.657 A2与G.652 D光纤的兼容性及性能进行了对比分析,并结合对易贝G.657 A2光纤的多径干扰(MPI)测试和系统传输实验,阐述了G.657 A2在干线中应用的优势及应用前景。

G.657光纤的性能特点

文章首先根据光纤接入网的建设特点,提出了研究弯曲不敏感单模光纤(ITU-T G.657光纤)的必要性,然后阐述了G.657光纤的结构特点和性能参数,概括了G.657A光纤和G.657B光纤的不同用途,最后对G.657光纤与G.652光纤的模场直径、截止波长和弯曲损耗等性能参数进行了比较。

关于G.657光纤的一些关键问题

根据ITU-TG.657最新版本介绍了G.657光纤的最新要求的变化,并根据ITU-TSG15会议的最新文稿介绍了国际上对G.657光纤可靠性和寿命的最新研究成果。

G.657光纤在宽带接入应用中的机遇和瓶颈

随着传统固话业务的萎缩和宽带通信业务的日益丰富,传统宽带ADSL的发展受到各种瓶颈的限制。相比于目前宽带接入中的G.652光纤,G.657光纤具有与G.652 D光纤类似的性能参数,比G.652B光纤的要求更严格,但具有更小的弯曲半径(15 mm),其将在宽带接入中得到广泛的应用。

ITU-T新G.657标准与G.657.B3光纤

本文在对ITU-T G.657最新标准进行解读的基础上,简单介绍了长飞公司G.657.B3光纤EasyBandUltra;并根据G.657.B3光纤具体的应用环境,从客户使用的角度,初步探讨了评判G.657.B3光纤性能优劣的几个关键参数。

用于降低G.657光纤氢损的氘气处理实验研究

氢损现象是导致光纤出现附加吸收损耗的重要因素。以内包层下凹型弯曲不敏感G.657光纤为实验用光纤,分析了弯曲不敏感G.657光纤结构与衰减因素,阐述了氘气消除光纤氢敏感性机理,并设计了光纤氢损实验对氘气处理配方进行了定量数据测试。通过调整氘气的浓度和处理时长两项关键参数,得到了不同实验条件下光纤的附加衰减值。对比实验结果和追踪复测结果均表明,0.9%氘气浓度和80 h氘气处理时长是适合降低弯曲不敏感G.657光纤氢损的氘气处理配方。

长株潭城际铁路开滨区间盾构施工技术(四) 工程所用S657型土压平衡盾构机

S657型土压平衡盾构机由德国海瑞克(Herreenknecht AG)公司制造,其开挖直径为装滚刀时9330mm(用仿形刀时9430mm),主要用于黏土、壤土或者淤泥的施工,其掘进模式根据泥土强度的不同可分为土压平衡式、半土压平衡式、敞开式3种。它主要由盾构主机、后配套系统及后配套辅助设备组成。主机由盾壳、刀盘、刀盘驱动、螺旋输送机、皮带输送机、管片安装机、入仓以及液压系统等组成。主要尺寸和质量见表1,适用工程条件见表2。

加工助剂SC-657对炭黑填充NR性能的影响

考察了不同用量SC-657对炭黑填充NR的加工特性、力学性能及动态性能的影响。结果表明,加入SC-657改善了NR的焦烧性能,降低了胶料的门尼粘度,同时减小了NR的硫化返原率。加入SC-657能提高橡胶的拉伸强度及200%定伸应力,同时改善了橡胶的抗撕裂性能。当SC-657用量为2份时,能有效降低胶料的损耗因子(0,25,60℃),并降低橡胶的压缩生热。

G.657光纤截止波长测试方法探讨

对于G.657弯曲不敏感光纤截止波长的测试,按照已有标准规定的方法进行测试时,由于光纤中光功率传输特性的差异导致测试值偏高甚至不可靠。本文主要通过改变光纤的打圈直径,使用弯曲参考技术法进行截止波长的测试,并与多模参考法进行对比,以保证数据的稳定可靠。

利用VAD工艺制造G.657.A2光纤的研究

近年来,G.657.A2光纤已成为高性能接入网广泛使用的光纤。为了实现其优质、高效的批量制造,介绍了利用气相轴向沉积法(VAD)制造G.657.A2光纤的工艺方法,通过优化波导结构设计和制造工艺参数,改善了VAD光纤制造工艺制造G.657.A2芯棒时出现的波导结构和宏弯损耗性能不够稳定的缺点。通过对光纤的宏弯损耗性能进行理论分析,结合VAD光纤制造工艺的工艺特点,确立了光纤的波导结构设计;再对用VAD工艺制造下凹包层波导结构进行研究,通过实验对比明确了具有优越宏弯损耗性能的光纤包层沉积工艺参数。对所研制的G.657.A2光纤进行了测试,结果表明VAD光纤制造工艺的产品性能好且生产效益高,是一种值得推广的G.657.A2弯曲损耗不敏感光纤的制造方法。

基于OptiFiber的G.657单模光纤设计

根据光纤接入网的建设特点,提出了研究抗弯曲单模光纤产品的必要性,阐述了G.657光纤的分类及G.657.A2光纤的主要技术标准,概括了提高光纤抗弯性能的主要途径,最后利用OptiFiber仿真软件对G.657光纤的典型结构进行了建模仿真分析,计算了G.657光纤的模式数、模场分布、弯曲损耗、色散、截止波长等性能参数。

G.657光纤熔接和熔接损耗测试

在G.657.A2光纤推广和使用过程中,熔接和熔接损耗的测试出现了比较突出的问题或认识误区,本文分别针对"黑线"和"晕环"现象、熔接参数调整、OTDR测试熔接损耗"大正大负"等方面的问题进行了解释和汇总。

精细管理滨657块油藏 挖掘开发新的潜力

滨657块共投产油井14口,累产油3.8755万t,累产水1.1373万m3;水井7口,累注水2.7915万m3。目前该块油井14口,平均日液9.9m3,日油7.8t,含水21.4%,动液面1343m。单井日油7.8t/d,没有达到预定值。该块投产水井7口,由投产初期的日注203m3/d,下降至目前的109m3/d。平均单井日注能力仅15.6m3/d。为了深挖开发潜力,从提高水井措施工作量入手,加强滨657块油藏的精细管理水平,从而提高小层渗透率,促进块区产能的增加。

长江科学院主编的《南方红壤丘陵区水土流失综合治理技术标准》(SL657—2014)正式发布

《中华人民共和国水利部公告》（2014年第12号）正式批准发布《南方红壤丘陵区水土流失综合治理技术标准》（SL657—2014）,并于2014年6月19日正式实施。为总结南方红壤丘陵区水土流失治理经验和特色,更好地指导该区水土流失综合治理工作,自2009年起长江科学院水土保持研究所组织专门技术力量开始编制《南方红壤丘陵区水土流失综合治理技术标准》,历经3年多,克服各种技术难点,于2013年9月27日顺利通过水利部标准化工作主管部门组织的审定会,是当时同一批标准中唯一一个仅需稍做修改即可上报行业主管部门发布的标准。

基于六西格玛方法的G.657.B3光纤研发方案

为了解决光通信领域中光纤产品在研发-生产阶段存在试验周期长、研发成本高和产品品质不稳定等问题,基于六西格玛质量管理方法,建立发明问题解决理论(TRIZ)-实验设计(DOE)-过程能力C_(pk)模型应用于抗弯曲光纤G.657.B3的研制,通过这一模型有利于开展高效的试验设计与试验成本控制,确定了G.657.B3光纤折射率剖面参数的最佳组合,并应用于批量化生产。实验结果表明:在1550 nm、1625 nm波长处,弯曲半径为5 mm且绕1圈时,光纤的宏弯典型损耗均值分别是0.063 dB、0.165 dB,光纤的宏弯性能优良。

秦即墨郡的设置和变迁——以里耶8-657号秦简为据

里耶秦简8-657号简记载了"琅邪郡尉徙治"的相关内容,根据秦历谱、干支纪日、秦代信息传递速度和里耶秦简8-657简的内容,可以推断出8-657号简"琅邪郡尉徙治"的发文年月是秦始皇二十八年五月,此时尚无即墨郡。秦在灭齐之初,根据齐国疆域沿革和山川形势设齐、琅邪二郡。在秦始皇二十八年后分琅邪郡置即墨郡,琅邪郡尉徙治即墨和即墨郡的设置与秦始皇东巡关系密切。

G.657B3光纤的研究与开发

结合ITU-T G.657光纤标准的修订,将弯曲不敏感光纤的分类及性能区别进行了汇总分析,介绍了G.657光纤波导结构设计和业界采用的制备技术,并将亨通光纤公司所进行的超强抗弯曲光纤的研制方法和开发的G.657B3光纤性能情况作了分析和阐述。测试结果表明,研制的G.657B3光纤各项性能优于ITU-T国际标准,与G.652D光纤熔接损耗典型值0.099 33dB,具有良好的兼容性。

新标准ITU—T G.657.B3光纤助力FTTH建设

本文在对ITU—T G．657最新标准进行解读的基础上，简单介绍了长飞公司G．657．B3光纤Easyband Ultra；并根据G．657．B3光纤具体的应用环境，从客户使用的角度，初步探讨了评判G．657．B3光纤性能优劣的几个关键参数，并介绍其在FTTx入户布线中的应用需求。

G.657 B3光纤截止波长测试方法的探讨

截止波长是单模光纤中仅有基模传输的最短波长。G.657光纤是新型的接入网用弯曲损耗不敏感单模光纤,其耐弯曲性能优越,因此采用常规弯曲参考法和多模参考法方法很难测得其准确的截止波长。根据相关IEC标准和国家标准,结合G.657B3光纤的特性,改进设计了熔接引导光纤弯曲参考法、增加被测光纤长度多模参考法、弯曲被测光纤弯曲参考法三种G.657B3光纤截止波长的测试方法,以期通过熔接引导光纤、增加被测光纤长度和改变被测光纤弯曲半径及绕圈圈数方式滤去高阶模。相关研究表明,采用增加被测光纤长度多模参考法可较为准确、可靠地测得G.657B3光纤截止波长,以及被测光纤长度宜为22m,最短不低于12m。

G.657光纤的制备及其性能

G.657光纤具有优异的弯曲损耗不敏感性能,被认为是诸如光纤到户(FTTH)等局域网和接入网系统的首选产品,因此,该光纤的研究倍受重视。提出了一种采用全合成工艺制造G.657光纤的方法,详细探讨了芯层和第一包层区的厚度(a、b)及其折射率差(△1、△2)与光纤性能之间的关系。研究表明,当a的取值在3.5～4.0μm之间,b的取值在0.5～1.9μm之间,△1的取值在0.0034～0.0045之间,△2的取值在-0.0006～0之间时,可制得满足ITU.T G.657.A标准的光纤;当a的取值在2.8～3.2μm之间,b的取值在0.8～2.1μm之间,△1的取值在0.0058～0.0072之间,△2的取值在-0.0016～-0.0008之间,可制得满足ITU.T G.657.B标准的光纤。且该光纤在结构上相对简单,无特殊设计的沟、槽、孔,因此制作工艺相对容易、稳定,易于推广和应用。