期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
5
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究
被引量:
1
1
作者
罗小蓉
廖伟
+2 位作者
廖勇明
洪根深
龚敏
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期53-56,共4页
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I~V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I~V特性的影响 .
关键词
6h碳化硅
肖特基二极管
宽禁带半导体
下载PDF
职称材料
外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究
被引量:
1
2
作者
贾护军
杨银堂
+1 位作者
柴常春
李跃进
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期356-358,共3页
采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、...
采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、X射线衍射能谱 (XRD)及光致发光谱 (PL)
展开更多
关键词
外延生长
6
h
-SiC/Si薄膜
微结构
6h碳化硅
薄膜
化学气相淀积
下载PDF
职称材料
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究
被引量:
1
3
作者
罗小蓉
龚敏
《半导体情报》
2001年第3期59-61,共3页
研究了 p型 Al/6H- Si C肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数。采用电流 -电压法 ( I-V)测试了肖特基二极管的理想因子 n和肖特基势垒高度b。对其基本电学参数 n和b 的温度特性进行了研究 ,并分析了串联电阻对 I- V特性的影响。
关键词
6h碳化硅
肖特基二极管
宽禁带半导体
下载PDF
职称材料
飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究
4
作者
高仁喜
高胜英
+4 位作者
范光华
刘杰
王强
赵海峰
曲士良
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期255-260,共6页
半绝缘6H型碳化硅(6H-SiC)具有高电阻率性质,在可见光照射下进行光电导测量时,通常光生电流很小;然而经过飞秒激光辐照改性之后,发现在可见光波段的光电导有明显的增益.本文利用紫外-可见-近红外吸收谱、X射线光电子能谱和发光光谱测量...
半绝缘6H型碳化硅(6H-SiC)具有高电阻率性质,在可见光照射下进行光电导测量时,通常光生电流很小;然而经过飞秒激光辐照改性之后,发现在可见光波段的光电导有明显的增益.本文利用紫外-可见-近红外吸收谱、X射线光电子能谱和发光光谱测量分析了激光改性之后碳化硅样品的光谱吸收、发射和晶体元素比例变化情况.分析认为碳化硅光电导增益的原因是飞秒激光辐照过程改变了碳化硅表面的硅碳元素的原子浓度比,形成新的物质结构形式,从而导致了表面光电导性能的提高.
展开更多
关键词
光电导增益
6h碳化硅
飞秒激光
原文传递
SiC电子霍耳迁移率的计算
被引量:
2
5
作者
王平
杨银堂
杨燕
《计算物理》
CSCD
北大核心
2006年第1期80-86,共7页
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值...
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.
展开更多
关键词
6h碳化硅
电子霍耳迁移率
霍耳散射因子
解析模型
下载PDF
职称材料
题名
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究
被引量:
1
1
作者
罗小蓉
廖伟
廖勇明
洪根深
龚敏
机构
四川大学物理学系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期53-56,共4页
文摘
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I~V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I~V特性的影响 .
关键词
6h碳化硅
肖特基二极管
宽禁带半导体
Keywords
h
-SiC
Sc
h
ottky diode
wide band semiconductor
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究
被引量:
1
2
作者
贾护军
杨银堂
柴常春
李跃进
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期356-358,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (697760 2 3 )
文摘
采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、X射线衍射能谱 (XRD)及光致发光谱 (PL)
关键词
外延生长
6
h
-SiC/Si薄膜
微结构
6h碳化硅
薄膜
化学气相淀积
Keywords
h
SiC t
h
in films
APCVD
microstructure
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究
被引量:
1
3
作者
罗小蓉
龚敏
机构
四川大学物理系
出处
《半导体情报》
2001年第3期59-61,共3页
文摘
研究了 p型 Al/6H- Si C肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数。采用电流 -电压法 ( I-V)测试了肖特基二极管的理想因子 n和肖特基势垒高度b。对其基本电学参数 n和b 的温度特性进行了研究 ,并分析了串联电阻对 I- V特性的影响。
关键词
6h碳化硅
肖特基二极管
宽禁带半导体
Keywords
6
h
-SiC
sc
h
ottky diode
wide band semiconductor
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究
4
作者
高仁喜
高胜英
范光华
刘杰
王强
赵海峰
曲士良
机构
哈尔滨工业大学(威海)理学院光电科学系
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期255-260,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:11274082)
哈尔滨工业大学科研创新基金(批准号:HIT.NSRIF.2011121)资助的课题~~
文摘
半绝缘6H型碳化硅(6H-SiC)具有高电阻率性质,在可见光照射下进行光电导测量时,通常光生电流很小;然而经过飞秒激光辐照改性之后,发现在可见光波段的光电导有明显的增益.本文利用紫外-可见-近红外吸收谱、X射线光电子能谱和发光光谱测量分析了激光改性之后碳化硅样品的光谱吸收、发射和晶体元素比例变化情况.分析认为碳化硅光电导增益的原因是飞秒激光辐照过程改变了碳化硅表面的硅碳元素的原子浓度比,形成新的物质结构形式,从而导致了表面光电导性能的提高.
关键词
光电导增益
6h碳化硅
飞秒激光
Keywords
p
h
otoconductivity
6
h
-SiC
femtosecond laser
分类号
O437 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
SiC电子霍耳迁移率的计算
被引量:
2
5
作者
王平
杨银堂
杨燕
机构
西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2006年第1期80-86,共7页
基金
教育部重点(02074)
国防科技预研基金(51408010601DZ1032)资助项目
文摘
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.
关键词
6h碳化硅
电子霍耳迁移率
霍耳散射因子
解析模型
Keywords
6
h
-SiC
electron
h
all mobility
h
all scattering factor
analytical model
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究
罗小蓉
廖伟
廖勇明
洪根深
龚敏
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究
贾护军
杨银堂
柴常春
李跃进
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
3
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究
罗小蓉
龚敏
《半导体情报》
2001
1
下载PDF
职称材料
4
飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究
高仁喜
高胜英
范光华
刘杰
王强
赵海峰
曲士良
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
原文传递
5
SiC电子霍耳迁移率的计算
王平
杨银堂
杨燕
《计算物理》
CSCD
北大核心
2006
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部