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p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究 被引量:1
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作者 罗小蓉 廖伟 +2 位作者 廖勇明 洪根深 龚敏 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期53-56,共4页
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I~V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I~V特性的影响 .
关键词 6h碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体
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外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究 被引量:1
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作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 柴常春 李跃进 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期356-358,共3页
采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、... 采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、X射线衍射能谱 (XRD)及光致发光谱 (PL) 展开更多
关键词 外延生长 6h-SiC/Si薄膜 微结构 6h碳化硅薄膜 化学气相淀积
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p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究 被引量:1
3
作者 罗小蓉 龚敏 《半导体情报》 2001年第3期59-61,共3页
研究了 p型 Al/6H- Si C肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数。采用电流 -电压法 ( I-V)测试了肖特基二极管的理想因子 n和肖特基势垒高度b。对其基本电学参数 n和b 的温度特性进行了研究 ,并分析了串联电阻对 I- V特性的影响。
关键词 6h碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体
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飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究
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作者 高仁喜 高胜英 +4 位作者 范光华 刘杰 王强 赵海峰 曲士良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期255-260,共6页
半绝缘6H型碳化硅(6H-SiC)具有高电阻率性质,在可见光照射下进行光电导测量时,通常光生电流很小;然而经过飞秒激光辐照改性之后,发现在可见光波段的光电导有明显的增益.本文利用紫外-可见-近红外吸收谱、X射线光电子能谱和发光光谱测量... 半绝缘6H型碳化硅(6H-SiC)具有高电阻率性质,在可见光照射下进行光电导测量时,通常光生电流很小;然而经过飞秒激光辐照改性之后,发现在可见光波段的光电导有明显的增益.本文利用紫外-可见-近红外吸收谱、X射线光电子能谱和发光光谱测量分析了激光改性之后碳化硅样品的光谱吸收、发射和晶体元素比例变化情况.分析认为碳化硅光电导增益的原因是飞秒激光辐照过程改变了碳化硅表面的硅碳元素的原子浓度比,形成新的物质结构形式,从而导致了表面光电导性能的提高. 展开更多
关键词 光电导增益 6h碳化硅 飞秒激光
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SiC电子霍耳迁移率的计算 被引量:2
5
作者 王平 杨银堂 杨燕 《计算物理》 CSCD 北大核心 2006年第1期80-86,共7页
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值... 基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性. 展开更多
关键词 6h碳化硅 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 解析模型
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