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外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究 被引量：1
1
作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 柴常春 李跃进 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期356-358,共3页
采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、... 采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、X射线衍射能谱 (XRD)及光致发光谱 (PL) 展开更多
关键词 外延生长 6h-SiC/Si薄膜 微结构 6h碳化硅薄膜 化学气相淀积
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