EUV微影技术与7nm工艺

集成电路的制造技术下一步将进入7nm节点,业界期待极紫外光(EUV)微影技术的成熟并广泛推广应用,期望EUV能用来制造更小、更便宜的晶片。数据表明,EUV仍然缺少具有高功率,足够可靠的光源来保证目前晶圆厂每天所要求的晶圆产能。

浅析7nm之后的工艺制程的实现

近来,Global Foundries宣布将会推进7 nm Fin FET工艺,引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。这是是来自Semi Engineering年的一篇报道,带领大家了解7 nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。

Mentor扩展解决方案以支持TSMC 7nm FinFET Plus和12nm FinFET工艺技术

Mentor宣布Mentor Calibre? nmPlatform和Analog FastSPICETM(AFSTM)Platform获得TSMC 12nm FinFET Compact Technology（12FFC）和最新版本7nm FinFET Plus工艺的认证。Nitro-SoCTM布局和布线系统也通过了认证,可以支持TSMC的12FFC工艺技术。TSMC设计基础架构营销部高级总监Suk

单界面陷阱对7nm P型GAAFET性能影响研究

采用3D TCAD软件仿真分析了单界面陷阱对7 nm P型全环栅场效应晶体管DC和AC性能的影响。研究结果表明:单个陷阱能使转移特性曲线发生严重偏移;当单界面陷阱位于沟道中心附近且陷阱能级靠近导带时,对关态电流和阈值电压的影响最大;陷阱使栅电容的相对变化量小于1%;环栅晶体管沟道长度和纳米线直径的缩小会加重陷阱对器件性能的影响,高介电常数材料的Spacer可减小陷阱引起的沟道能带弯曲程度,从而缓解陷阱对器件性能的影响。在调节器件结构参数使器件性能最大化的同时,应使陷阱对器件性能的影响最小化。

基于7 nm NPU预布局的布图优化设计

为了解决7 nm布图设计中直通寄存器在自动布局时不能均匀分布且高宽比相差较大、纵向绕线较多的问题,提出在布图阶段提前布局直通寄存器,并将宏单元放置在模块上下两端以避开直通寄存器密集位置的优化方法;并针对7 nm工艺对宏单元位置的约束,通过工具命令语言(TCL)脚本修复宏单元在布图阶段引起的违例。结果表明:相较于摆放在四周的布图规划,优化后的布图规划中建立时间最差负违例(WNS)减少0.131 ns,负违例总和(TNS)下降约80%,纵向拥塞从9.23%降至0.98%,功耗下降约500 mW;优化布图后执行TCL脚本,宏单元引起的违例下降了288条,相较人工修复节约了90%以上的时间。

等温多自配引发扩增技术快速检测学校餐饮中三种食源性致病菌

目的:本文研究了一种适合学校餐饮中快速鉴别三种食源性致病菌的检测方法。方法:基于等温多自配引发扩增技术(isothermal multiple self-matching-initiated amplification,IMSA),选择沙门氏菌的invA基因、大肠埃希氏菌O157:H7/NM的rfbE基因和单核细胞增生李斯特氏菌的prfA基因设计特异性引物,检测菌液灵敏度、特异性、最短增菌时间、最低含菌量检出限等指标;以食品安全国家标准食品微生物学检验(GB/T 4789.4-2016、GB/T 4789.30-2016、GB/T 4789.36-2016)为参考方法,比较两种方法的一致性。结果:该方法对沙门氏菌、大肠埃希氏菌O157:H7/NM和单核细胞增生李斯特氏菌的菌液灵敏度分别为2.14×10^(3)、2.79×10^(3)和3.62×10^(3)CFU/mL;特异性高达100%;人工污染最短的增菌时间分别为6、8和8 h;最低含菌量检出限分别为2.14、2.79和3.62 CFU/25 g;74例食品样本的IMSA法结果与国标法一致性达100%。结论:IMSA技术检测食源性致病菌的灵敏度高、特异性强、结果准确,可在短时间内完成食品中三种致病菌的检测,适合于学校餐饮中致病菌的快速鉴别。

磁绿泥石成分、结构及其形成环境研究进展

磁绿泥石化学成分类似于绿泥石,但属于蛇纹石结构。研究中常将其误认为是高岭石或鲕绿泥石,国内相关研究极为有限。作者综述了各地发现的磁绿泥石及其形成环境特点,将其形成环境分为两类:①海相环境,常在海相鲕粒铁质岩中以鲕粒形式产出,海相磁绿泥石多指示温暖、富铁且为还原环境的海域;②非海相环境,在北极荒漠土、煤炭沼泽、红土带、淡-半咸水的河漫滩和河口湾、火山成因块状硫化物矿床、三角洲、燧石黏土、花岗岩和变质岩中产出,多由海绿石、绿泥石、高岭石、钛云母、或红土转化形成。对磁绿泥石进行矿物学以及成因环境研究,有助于黏土矿物学研究的完善,对磁绿泥石产区的古环境分析也将大有裨益。

浅谈硅芯片工艺的极限以及发展方向

随着硅芯片极限的逐渐逼近,这几年人们也越来越担心摩尔定律是否会最终失效,因为一旦半导体行业停滞不前,对于IT业界来说同样会产生极大的影响,所以全球都关心半导体工艺的进展方向。

烷烃条件下CF_2ClBr的紫外光解离机理研究

以气相色谱、红外光谱为主要分析手段，对气态ＣＦ２ＣｌＢｒ在ＣＦ２ＣｌＢｒ－Ｃ６Ｈ１２体系中的紫外光解离进行了研究．结果表明，在２５３．７ｎｍ紫外光照射下，该体系的主要光解产物为ＨＣＦ２Ｃｌ、ＨＢｒ以及Ｃ６Ｈ１２的聚合物．体系中ＣＦ２ＣｌＢｒ的解离近似为表观一级反应，解离反应的速率常数为２．８７７×１０－６ｓ－１，表观量子产率约为０．１．基于此，对该光解反应的机理做了分析．

大肠埃希氏菌O157∶H7/NM标准物质制备

本文用冷冻干燥法制备含鸡肉基质的大肠埃希氏菌O157∶H7/NM标准物质,以细菌存活率为指标,选择存活率最高的保护剂配方。以经钴-60辐照灭菌的鸡肉粉(无抗生素)作为基质,按适当的比例与保护剂配方液混合,添加菌液,于-70℃速冻20 h后冷冻干燥,对样品进行均匀性检测、稳定性追踪以及建立不确定度评估。结果显示,保护剂最优配方为10%海藻糖+25%脱脂牛奶+4%聚乙烯吡咯烷酮+0.8%甘氨酸;基质液比例为基质∶水=1∶7。按基质液:保护剂配方液=1∶3制备样品,均匀性试验:F统计量=1.197<2.201,均匀性良好。当测量检验结果用2次测量值平均值表示结果时,其值分布区间为±80 CFU/mL,且在-20℃的温度下保存18个月未观测到不稳定性。

从14nm缩减到1nm 看晶体管制程的物理极限

适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看,7 nm是否硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14 nm缩减到1 nm。那么,为何说7 nm就是硅材料芯片的物理极限,碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢?面对美国的技术突破,中国应该怎么做呢?

食品中大肠埃希氏菌O157:H7/NM能力验证结果分析与讨论

为了提升实验室食品中大肠埃希氏菌O157:H7/NM检测能力,本实验室参加了大连中食国实检测技术有限公司组织的大肠埃希氏菌O157:H7/NM检测能力验证活动。根据《食品安全国家标准食品微生物学检验大肠埃希氏菌O157:H7/NM检验》(GB 4789.36—2016),对疑似菌进行鉴定。结果显示,编号143样品中检出大肠埃希氏菌O157:H7/NM,编号349、142样品中均未检出大肠埃希氏菌O157:H7/NM。本实验室顺利完成能力验证,结果为满意。