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题名8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法
被引量:9
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作者
张志勤
袁肇耿
薛宏伟
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第7期531-535,560,共6页
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文摘
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。
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关键词
8英寸硅外延片
薄层外延
外延层厚度
电阻率
不均匀性
“碗状”分布
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Keywords
8-inch silicon epitaxial wafer
thin layer epitaxy
epitaxial layer thickness
resistivi- ty
nonuniformity
bowl-shape distribution
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法
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作者
王肖波
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司
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出处
《中国新技术新产品》
2019年第9期22-23,共2页
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文摘
作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料,硅外延片的性能非常优越,是我国电子信息技术产业发展过程中经常会用到的材料。半导体器件薄层硅外延片在半导体中的应用范围非常广泛,其在半导体器件中担任的主要是电路功能。该文就8英寸薄层硅外延片的均匀性控制进行研究,希望能够在一定程度上提高8英寸薄层硅外延片的质量。
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关键词
8英寸硅外延片
薄层外延
外延层厚度
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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