1,8-萘二胺共聚物对铜离子的吸附性

研究了二苯胺磺酸/1,8-萘二胺共聚物对铜离子的吸附性能.考察了二苯胺磺酸与1,8-萘二胺共聚时物质的量比以及吸附操作温度、吸附时间对吸附性能的影响.结果表明,物质的量比为30/70的共聚物表现出最大的吸附容量;30℃时吸附处理初始浓度为8.00mmo·lL-1的铜离子溶液,其吸附容量为28.0mg·g-1,60℃时增加到38.0mg·g-1.共聚物对Cu2+的吸附符合准二级模拟方程.最后提出了共聚物链上氨基/亚胺基对铜离子的络合吸附及离子交换吸附机理.

聚1,8-萘二胺修饰玻碳电极测定痕量汞

采用电化学聚合的方法制备了聚1,8-萘二胺修饰玻碳电极,建立了吸附富集-阳极溶出伏安法测定痕量Hg2+的新方法。优化了各种实验参数(如富集底液的pH,富集时间等),并考察了其它离子的干扰。在最佳实验条件下,Hg2+在0.001~0.1 mg/L及0.1~5.0 mg/L质量浓度范围内均与溶出峰电流成良好的线性关系,检出限为0.0005 mg/L。该法可用于实际工业废水中汞的测定。

N-丁基-4-(6′-氨基己基)氨基-1,8-萘酰亚胺的合成及其与曙红Y的能量转移

以乙醇为溶剂、1,6-己二胺(HDA)和N-丁基-4-溴-1,8-萘酰亚胺(BBN)为原料合成了N-丁基-4-(6′-氨基己基)氨基-1,8-萘酰亚胺(HBNT),考察了n(HDA):n(BBN)、反应温度、反应时间和溶剂用量对合成反应的影响。得到的适宜反应条件为:以乙醇为溶剂,n(乙醇):n(HDA):n(BBN)=114:28:1、反应温度80℃、反应时间7 h。在此条件下,HBNT的收率达96.2%。研究了HBNT在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、四氢呋喃、二氧六环、乙醇、二氯甲烷中的紫外-可见吸收性能和荧光发射性能,得到了HBNT的荧光量子收率等光物理性能数据。同时研究了HBNT与曙红Y之间的能量转移效应,研究结果表明,在浓度为5.0×10^(-5)mol/L的HBNT的DMF溶液中,当曙红Y浓度由0.5×10^(-5)mol/L增至10.0×10^(-5)mol/L时,能量转移效率从29.5%增至94.3%,曙红Y的荧光强度增强1.2～3.0倍。

4-氨基-1,8-萘二胺对三氧化二砷在肝癌细胞中的增敏作用研究

目的探讨聚腺苷酸二磷酸核糖转移酶-1（PARP-1）抑制剂4-氨基-1,8-萘二胺（4-AN）对三氧化二砷（ATO）治疗肝癌的敏感性影响及其相关机制。方法培养人肝癌细胞HepG2,分为单独ATO用药组和联合用药组（4-AN＋ATO）,采用MTT实验、群体倍增实验和克隆形成实验比较两组细胞存活、增殖情况;应用ELISA、单细胞凝胶电泳（彗星实验）及微核实验分别检测细胞内8-羟基鸟嘌呤（8-OH-dG）含量,DNA链断裂、修复以及染色体损伤情况。结果当ATO浓度为2~10μmol/L时,联合用药组细胞存活率和集落形成率低于ATO组（P〈0.05）,ATO 2~50μmol/L时,联合用药组细胞群体倍增时间高于ATO组（P〈0.05）;在ATO 2~20μmol/L浓度范围内,彗星细胞尾长（L-Tail）、尾距（OTM）和8-OH-dG含量较ATO组高,差异均有统计学意义（P均〈0.05）;彗星实验检测损伤修复结果显示,联合用药组细胞的DNA损伤修复效率低于ATO组（P〈0.05）;微核实验结果显示当ATO浓度为5~20μmol/L时,联合用药组微核细胞率高于ATO组（P〈0.05）。结论 PARP-1抑制剂4-AN能显著增强ATO杀伤肝癌细胞的敏感性,其机制与抑制肝癌细胞DNA损伤修复有关。

PANDAN/ATP复合材料处理含Hg(Ⅱ)废水的研究

文章利用化学氧化法制备出一种新型的凹凸棒土／共聚物复合材料，并研究了其对水中汞离子的吸附性能。结果表明，该材料对废水中汞离子有优异的去除效果，吸附容量可达900mg／g吸附动力学过程符合准二级动力学模型，等温线符合Langmuir单层吸附模型；最佳吸附pH范围在4-9之间；氯离子对材料的吸附有很大的抑制作用。

抗脱落剂、抗脱落驱鸟沥青混合料及其制备方法

本发明公开了一种抗脱落剂、抗脱落驱鸟沥青混合料及其制备方法。所述抗脱落剂,其原料包括:硫磺、萘系物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、苯乙烯化苯酚、含氮芳香族化合物、对苯二胺类化合物、偶联剂、受阻酚类化合物。所述抗脱落驱鸟沥青混合料。

ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al电致发光器件光电特性

针对有机电致发光器件发光效率低、稳定性差的问题,设计制备了ITO/NPB/Alq3/LiF/Al多层有机电致发光器件.测试了器件的电流电压特性、器件的亮度电压特性、器件的电致发光光谱.结果表明,当外加电压为16V时,器件的电流达到最大值21.70mA,器件的亮度达到了11 700cd/m2;当外加电压为14 V时,电致发光光谱波峰位于528 nm处,归一化强度最大值为0.522 1a.u.制备的器件电子注入能力、电流和亮度均得到了增强.