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铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶体系极谱行为——表面活性剂增敏机理和分析应用——Ⅱ.铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶络合物电极反应和十二烷基苯磺酸钠增敏机理
被引量:
5
1
作者
蒲宇宏
张月霞
《分析化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期285-289,共5页
试验表明,铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶(8-OXQ)络合物(pHll,-0.60V)的峰电流(p)具吸附特性,为准可逆电极反应过程,其电子转移数(n),传递系数(α)及饱和吸附量(Γ_ο)分别为3,0.45,6.5×10^(-12) mol/cm^2。加入十二烷基苯磺酸钠(SDBS)未形...
试验表明,铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶(8-OXQ)络合物(pHll,-0.60V)的峰电流(p)具吸附特性,为准可逆电极反应过程,其电子转移数(n),传递系数(α)及饱和吸附量(Γ_ο)分别为3,0.45,6.5×10^(-12) mol/cm^2。加入十二烷基苯磺酸钠(SDBS)未形成三元络合物,因SDBS的超载强烈吸附,引起诱导吸附,电双层结构激烈变化,而使电流峰形巨变,电流峰高(i_p)增大10余倍。讨论并指出SDBS对Bi(Ⅲ)与8-羟基喹啉(8-OX)及衍生物络合吸附电流增敏或抑制,与试剂组分、结构、解离态及络合物存在状态、电荷数、符号有关。
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关键词
铋
电化学反应
8-oxq
络合物
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职称材料
题名
铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶体系极谱行为——表面活性剂增敏机理和分析应用——Ⅱ.铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶络合物电极反应和十二烷基苯磺酸钠增敏机理
被引量:
5
1
作者
蒲宇宏
张月霞
机构
北京科技大学
冶金部钢铁研究总院
出处
《分析化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期285-289,共5页
基金
国家自然科学基金
中国科学院长春应用化学研究所电分析化学开放室资助
文摘
试验表明,铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶(8-OXQ)络合物(pHll,-0.60V)的峰电流(p)具吸附特性,为准可逆电极反应过程,其电子转移数(n),传递系数(α)及饱和吸附量(Γ_ο)分别为3,0.45,6.5×10^(-12) mol/cm^2。加入十二烷基苯磺酸钠(SDBS)未形成三元络合物,因SDBS的超载强烈吸附,引起诱导吸附,电双层结构激烈变化,而使电流峰形巨变,电流峰高(i_p)增大10余倍。讨论并指出SDBS对Bi(Ⅲ)与8-羟基喹啉(8-OX)及衍生物络合吸附电流增敏或抑制,与试剂组分、结构、解离态及络合物存在状态、电荷数、符号有关。
关键词
铋
电化学反应
8-oxq
络合物
Keywords
Bismuth,
8
-Hydroxyqulnoline, Derivatives of
8
-hydroxyquinoline, Electrode reaction, Sodium dodecyl benzene sulfonate.
分类号
O614.532 [理学—无机化学]
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题名
作者
出处
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被引量
操作
1
铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶体系极谱行为——表面活性剂增敏机理和分析应用——Ⅱ.铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶络合物电极反应和十二烷基苯磺酸钠增敏机理
蒲宇宏
张月霞
《分析化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
5
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