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原位合成TiB_2-TiC_(0.8)-SiC复相陶瓷的微观组织与性能研究 被引量:13
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作者 孙培秋 朱德贵 +2 位作者 蒋小松 孙红亮 夏兆辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期363-368,共6页
利用热压烧结方法原位合成了TiB2-TiC0.8-SiC复相陶瓷。通过光学显微镜(OM)、X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对材料物相组成和微观结构进行表征。研究了热压条件下烧结温度对材料物相组成、结构及力学性能的影响。结果表明... 利用热压烧结方法原位合成了TiB2-TiC0.8-SiC复相陶瓷。通过光学显微镜(OM)、X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对材料物相组成和微观结构进行表征。研究了热压条件下烧结温度对材料物相组成、结构及力学性能的影响。结果表明:烧结温度在1700-1950℃范围内,随着温度的升高,材料的致密度、抗弯强度和断裂韧性都有显著改善。烧结温度为1900℃可得到完全致密的原位合成TiB2-TiC0.8-SiC复相陶瓷,材料的晶粒发育比较完善,条状TiB2和块状TiC0.8晶粒清晰可见。复合材料的维氏硬度、断裂韧性和弯曲强度分别达到23.6 GPa,(7.0±1.0)MPa.m1/2和470.9 MPa。当温度达到1950℃时,由于增强相TiB2晶粒长大,材料的强度降低。TiB2、TiC0.8与SiC颗粒协同,通过裂纹偏转、晶粒拔出、晶粒细化等机制对复合材料起到颗粒增强增韧的作用。 展开更多
关键词 原位合成 热压 复相陶瓷 TiB2-TiC0 8-sic
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8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征 被引量:2
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作者 娄艳芳 巩拓谌 +4 位作者 张文 郭钰 彭同华 杨建 刘春俊 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页
使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、... 使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。 展开更多
关键词 8英寸SiC单晶衬底 物理气相传输法 X射线摇摆曲线 微管密度 翘曲度和弯曲度 位错密度
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8英寸导电型4H-SiC单晶的生长 被引量:4
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作者 杨祥龙 陈秀芳 +5 位作者 谢雪健 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1745-1748,共4页
采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的... 采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^(-2);衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。 展开更多
关键词 SiC单晶衬底 8英寸 物理气相传输法 微管密度 电阻率
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低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备
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作者 熊希希 杨祥龙 +8 位作者 陈秀芳 李晓蒙 谢雪健 胡国杰 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1371-1372,共2页
碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大... 碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm^(–2),基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm^(–2)。 展开更多
关键词 4H-sic 8英寸 低位错密度 单晶衬底
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SiC晶须和SU-8复合增强的MEMS惯性开关研究
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作者 郑玮 李亚辉 +2 位作者 刘扬 张浩东 杨卓青 《测控技术》 2021年第11期57-63,共7页
MEMS惯性开关是通过检测外界的加速度来控制电路通断的器件,在测试控制、消费电子、生物医疗等领域都有较为广泛的应用。之前对惯性开关研究多偏向于性能角度,例如增强接触时间或可以感应多个方向加速度,而忽略了惯性开关中材料的创新性... MEMS惯性开关是通过检测外界的加速度来控制电路通断的器件,在测试控制、消费电子、生物医疗等领域都有较为广泛的应用。之前对惯性开关研究多偏向于性能角度,例如增强接触时间或可以感应多个方向加速度,而忽略了惯性开关中材料的创新性。SU-8负性光刻胶和SiC晶须因其在微机电系统加工技术中的良好表现而引起关注,因此采用SiC晶须掺杂的SU-8负性光刻胶作为MEMS惯性开关可动电极,通过牺牲层工艺将可动电极从基底上脱离之后与固定电极组合构成惯性开关。对掺杂前后的SU-8材料进行了杨氏模量等力学参数的测试,并对制作的惯性开关器件进行了仿真和阈值加速度测试,结果显示掺杂2wt%的SiC晶须之后,增强复合材料的杨氏模量相比纯SU-8胶提高了12%,惯性开关的阈值加速度提高了20%。 展开更多
关键词 MEMS惯性开关 SU-8光刻胶 SIC晶须 阈值加速度
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SiC nanowire-based SU-8 with enhanced mechanical properties for MEMS structural layer design
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作者 Yu Yang Liyan Lai +1 位作者 Guifu Ding Ting Chen 《Nanotechnology and Precision Engineering》 EI CAS CSCD 2019年第4期169-176,共8页
In addition to being used for pattern transfer,the negative photoresist SU-8 iswidely used as a structural material in microelectromechanical systems(MEMS).Due to its good photopatternability,SU-8 has lower manufactur... In addition to being used for pattern transfer,the negative photoresist SU-8 iswidely used as a structural material in microelectromechanical systems(MEMS).Due to its good photopatternability,SU-8 has lower manufacturing costs than many other materials,but its mechanical properties are relatively weak to some extent,which limits its performance.The mechanical properties of epoxy-like SU-8 can be enhanced by addingmicro-or nano-fillers such as carbon nanotube,clay,and SiC nanowire,which have superior elastic modulus.In this study,SiC nanowires were used to improve the mechanical properties of SU-8 while the SU-8 retains its photopatternability.The SiC nanowires were uniformly dispersed in SU-8 by stirring and ultrasonication.SU-8 materials with different SiC nanowire contents were fabricated into dog bone samples by lithography.The elastic modulus,storage modulus,and damping factor of the samples were measured by the Dynamic mechanical analysis(DMA)Q800.The experiment result shows that the rigidity and toughness increased,and the damping reduced.The 2 wt%SiC nanowires-reinforced SU-8 had a 73.88%increase in elastic modulus and a 103.4%increase in elongation at break.Furthermore,a spring component made by SiC-doped SU-8 could withstand greater acceleration.The SiC nanowires-reinforced SU-8 has the potential tomeet higher requirements in the design andmanufacture of MEMS and greatly reduce the manufacturing costs of MEMS devices. 展开更多
关键词 SU-8 SiC nanowires Elastic modulus Dynamic mechanical analysis(DMA)
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SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱 被引量:1
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作者 阎研 黄福敏 +3 位作者 张树霖 朱邦芬 尚尔轶 范守善 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期726-728,共3页
报道了用光谱的手段研究 Si C纳米棒 (NR)的结果 .对于在实验中观察到 L O模的大幅度红移及新出现的喇曼峰 ,认为在类似 Si C NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中 ,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要 .理论计算证实了这一... 报道了用光谱的手段研究 Si C纳米棒 (NR)的结果 .对于在实验中观察到 L O模的大幅度红移及新出现的喇曼峰 ,认为在类似 Si C NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中 ,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要 .理论计算证实了这一点 。 展开更多
关键词 纳米材料 喇曼光谱 相互作用 纳米棒 碳化硅
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大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化 被引量:7
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作者 卢嘉铮 张辉 +2 位作者 郑丽丽 马远 宋德鹏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期371-384,共14页
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport,PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在... 大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport,PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。 展开更多
关键词 8英寸SiC晶体 晶体生长 电阻加热 热场设计 输运机理 物理气相传输 加热器 保温棉
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