改性800M合金在热浓碱溶液中生成的表面膜的AES研究

对改性 8 0 0合金 (80 0M)在沸腾的 5 0 %NaOH +0 3%SiO2 +0 3%Na2 S2 O3 溶液中不同电位下恒电位极化 2h后的表面膜进行了俄歇电子能谱 (AES)分析 ,发现在所选择的电位条件下 (- 5 0 0mV～ 80mV) ,表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级 ,表面膜富Ni而贫Fe、Cr.在 - 5 0 0mV ,80 0M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富集、Cr的相对百分含量很低 ,S2 -在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区 .富集因子随电位的变化曲线有一拐点电位 (Ecr=- 40mV) .在 - 40mV时 ,C形环试样发生IGA是由于生成不稳定的Ni的氧化产物xNi2 + yNi3 + Oy(OH) 2x +y,表面膜保护性能下降 ,应力撕破表面膜 ,活性晶界优先发生溶解形成的 .在 - 30mV～40mV时 ,C形环试样发生沿晶应力腐蚀破裂 (IGSCC)则可能是由于xNi2 + yNi3 + Oy(OH) 2x +y不稳定 ,活性晶界分数大于裂纹扩展所需临界分数的缘故 .

改性800合金碱性SCC机理研究

通过对改性 80 0合金 ( 80 0M )在沸腾的 5 0 %NaOH + 0 .3 %SiO2 + 0 .3 %Na2 S2 O3溶液中发生的晶间腐蚀(IGA)和沿晶应力腐蚀破裂 (IGSCC)试样的扫描电镜 (SEM )观察 ,结合阳极极化曲线、表面膜俄歇电子能谱 (AES)分析和恒电位极化的稳定溶解电流密度ist等测试研究了 80 0M合金在碱液中的IGA形成及IGSCC破裂机理 ,并探讨了IGA对IGSCC的促进作用。发现在 - 5 0 0mV/SCE整个表面发生的IGA是表面膜中Cr的相对含量低 ,保护性差 ,以及溶液中S2 O2 -3还原成S2 -在晶界偏析 ,使晶界的化学活性增加 ,导致C形环晶界的溶解速率iIG>晶粒的溶解速率iGC所致。在电位E =- 40及 - 2 0mV/SCE发生IGSCC ,可能是由于Ni形成不稳定的氧化产物 ,使合金表面膜保护性能下降 ,在应力作用下 ,活性大的晶界溶解 ,形成的微裂纹沿晶界扩展而导致沿晶应力腐蚀破裂。 80 0M合金表面形成的IGA对IGSCC的萌生与扩展有促进作用 。