飞兆推出80VN沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。

1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制

碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁移率和较大的元胞尺寸,难以充分发挥SiC器件的材料优势,后者将导电沟道由横向改为纵向,既明显改善了沟道迁移率,又大幅提升了沟道密度,使得器件导通电阻显著降低,代表着SiCMOSFET的未来发展方向。

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology，Inc宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／，将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，

新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究

电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗,而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点,从而成为目前研究的热点,但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真,证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进,主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中,源极区域通过对源电极金属帽子下方Al_(2)O_(3)进行刻蚀,使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短;而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层,使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET,器件的导通电阻低至1.8mΩ·cm^(2),击穿电压高达1053V。

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30VN沟道功率MOSFET

应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor）扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。

SiA850DJ：190VN沟道功率MOSFET

Vishey推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN沟道功率MOSFET-——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。

高性能P沟道MOSFET器件

FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有优异的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用dFDMA905P采用2mm×2mmMicro FET封装.

结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件

FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC），占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏（以及按键，如果有键盘）提供照明。该解决方案对各种动态特性做出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。

Si7145DP：30VP沟道功率MOSFET器件

Vishay推出采用S08占位面积的30VP沟道功率MOSFET器件一Si7145DP，将10V、4．5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2．6mΩ和3．75mΩ。凭借这些性能规格，新的Vishay Siliconix Si7145DP——第三代TrenchFETP沟道家族的最新成员——实现了在这个电压等级和占位下最低的导通电阻。

常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET

南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

短沟道SOI MOSFET栅结构研究与进展

系统比较了几种不同栅结构短沟道SOIMOSFET的性能,包括短沟道效应、电流驱动能力、器件尺寸等特性,获得了栅的数目与短沟道SOI器件的性能成正比的结论。介绍了两种新的短沟道SOI器件栅结构:Π栅和Ω栅,指出了短沟道SOIMOSFET栅结构的发展方向。

凹陷沟道SOI器件的实验研究

本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．

Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖

VishayIntertechnology,Inc．宣布其Si7655DN一20VP沟道GenIII功率MOSFET荣获EDNChina2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

采用PowerPAK 1212-8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。

Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新丞件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30－600mΩ，将最高电流等级扩大为6－105A。