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NEC和Tokuyama联合推出用于8nm线宽的电子束光刻胶
1
《集成电路应用》
2004年第1期47-47,共1页
NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4芳烃,这种烃是由4个苯环结成的直径为0.7nm的环。该产品的原子量很小,因而可达到8nm的分辨率,同时这种材料不...
NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4芳烃,这种烃是由4个苯环结成的直径为0.7nm的环。该产品的原子量很小,因而可达到8nm的分辨率,同时这种材料不易结晶。
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关键词
NEC公司
Tokuyama公司
电子束光刻胶
8nm线宽
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职称材料
题名
NEC和Tokuyama联合推出用于8nm线宽的电子束光刻胶
1
出处
《集成电路应用》
2004年第1期47-47,共1页
文摘
NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4芳烃,这种烃是由4个苯环结成的直径为0.7nm的环。该产品的原子量很小,因而可达到8nm的分辨率,同时这种材料不易结晶。
关键词
NEC公司
Tokuyama公司
电子束光刻胶
8nm线宽
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
NEC和Tokuyama联合推出用于8nm线宽的电子束光刻胶
《集成电路应用》
2004
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