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题名90~65nm清洗新技术
被引量:2
- 1
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作者
张晓红
王锐廷
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机构
北京七星华创电子股份有限公司微电子设备分公司
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出处
《电子工业专用设备》
2005年第8期13-15,28,共4页
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文摘
简单说明了清洗技术在90~65nm节点技术阶段的新发展,着重介绍了一种新的清洗技术—低温冷凝清洗技术产生的背景、技术现状及其应用,对我国半导体清洗行业的未来发展提出建议。
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关键词
90~65
nm节点技术
超凝态过冷动力学清洗
微粗糙度
RMS(均方根误差值)
载流子迁移率
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Keywords
90-65 nm node technology
Cryokinetic cleaning technology
Micro-roughness
RMS
Removing efficiency of defects
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分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
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题名深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究
被引量:5
- 2
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作者
曾宏
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机构
芯原微电子(上海)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2010年第2期30-35,49,共7页
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文摘
随着摩尔定律的发展,90/65nm工艺下的大规模芯片越来越多,后端物理设计变得更加复杂,遇到了很多新问题,如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等,签收的标准也发生了变化。因此必须改进物理设计方法学,适应新的情况,来取得流片成功。
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关键词
90/65nm
后端设计
集成度
层次化设计
串扰噪声
多模式-多角落
泄漏功耗
动态电压降
签收
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Keywords
90/65nm
backend design
cell density
hierarchical design flow
crosstalk
multi-corner multi-mode
leakage power
dynamic IR-Drop
signoff
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名布线后修复时序违规的方法研究
被引量:2
- 3
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作者
曾宏
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机构
芯原微电子(上海)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2010年第4期29-32,37,共5页
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文摘
90/65nm下后端设计中由于多模式-角落,以及布局布线工具和签收工具之间的误差性,布线后修复各种时序违规如渡越时间、负载、建立时间、保持时间、串扰等将是一项十分耗时的工作。如何快速修复各种违规,取得设计收敛是后端设计者所关注的。本文分析了各种情况,提供了一些解决方案。
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关键词
90/65nm
渡越时间
负载
建立时间
保持时间
串扰噪声
多模式-多角落
签收
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Keywords
90/65nm
slew/load violation
setup time
hold time
crosstalk
multi-corner multi-mode
signoff
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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