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氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究(英文)
被引量:
2
1
作者
刘斌
张敬明
+1 位作者
马骁宇
肖建伟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期234-237,共4页
报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注...
报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注入区 .腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入 ,因此减少了非辐射复合的发生 ,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值 .应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到 44 0 5mW ,没有发生COD现象 .而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为 40 7 5mW .同常规工艺相比 ,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了 8% .
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关键词
腔面
980
nm
半导体激光器
可靠性
氦离子注入
非注入区
cod
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职称材料
题名
氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究(英文)
被引量:
2
1
作者
刘斌
张敬明
马骁宇
肖建伟
机构
中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期234-237,共4页
文摘
报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注入区 .腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入 ,因此减少了非辐射复合的发生 ,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值 .应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到 44 0 5mW ,没有发生COD现象 .而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为 40 7 5mW .同常规工艺相比 ,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了 8% .
关键词
腔面
980
nm
半导体激光器
可靠性
氦离子注入
非注入区
cod
Keywords
nm
semiconductor
lasers
reliability
He
ion implantation
non-injection regions
cod
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究(英文)
刘斌
张敬明
马骁宇
肖建伟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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职称材料
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