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980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)
1
作者
梁琨
陈弘达
+3 位作者
杜云
唐君
杨晓红
吴荣汉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1135-1139,共5页
采用相同生长结构的 MOCVD外延片 ,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵 ,发射及接收波长相同 ,由谐振腔模式决定 .采用双氧化电流限制结构 ,优化串联电阻 ,提高电光转换效率 ,制备 980 nm波段发光器件及 1× 16...
采用相同生长结构的 MOCVD外延片 ,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵 ,发射及接收波长相同 ,由谐振腔模式决定 .采用双氧化电流限制结构 ,优化串联电阻 ,提高电光转换效率 ,制备 980 nm波段发光器件及 1× 16列阵芯片 ,发射谱线半宽≤ 4 .8nm,注入电流为 5 0 m A时 ,发射功率为 0 .7m W.对列阵芯片用探针进行在线检测 ,器件均有良好的发光特性 .接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性 ,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节 .通过腐蚀器件顶部 DBR的方法调节入射镜反射率 ,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计 .
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关键词
980nm垂直腔型
面发射
接收器件
列阵
光互连
谐振
腔
增强
型
光子器件
单片集成
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职称材料
题名
980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)
1
作者
梁琨
陈弘达
杜云
唐君
杨晓红
吴荣汉
机构
中国科学院半导体研究所国家集成光电子学国家重点联合实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1135-1139,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 13 70 2 0
698962 60
+2 种基金
697760 3 6)
国家 863计划 (Nos.2 0 0 1AA12 2 0 3 2
2 0 0 1AA3 12 0 80 )资助项目~~
文摘
采用相同生长结构的 MOCVD外延片 ,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵 ,发射及接收波长相同 ,由谐振腔模式决定 .采用双氧化电流限制结构 ,优化串联电阻 ,提高电光转换效率 ,制备 980 nm波段发光器件及 1× 16列阵芯片 ,发射谱线半宽≤ 4 .8nm,注入电流为 5 0 m A时 ,发射功率为 0 .7m W.对列阵芯片用探针进行在线检测 ,器件均有良好的发光特性 .接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性 ,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节 .通过腐蚀器件顶部 DBR的方法调节入射镜反射率 ,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计 .
关键词
980nm垂直腔型
面发射
接收器件
列阵
光互连
谐振
腔
增强
型
光子器件
单片集成
Keywords
optical interconnects
resonant cavity enhanced phtotonic devices
monolithic integration
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)
梁琨
陈弘达
杜云
唐君
杨晓红
吴荣汉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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