用光纤光栅稳定980nm激光器波长的研究

文章通过将一根弱反馈的光纤光栅连接在无致冷的980nm泵浦激光器尾纤上，使激光器工作在相干失效状态下。大大改善了无致冷激光器的波长和功率的稳定性。文章根据实验结果分析了光纤光栅的主要参数对激光器输出功率和光谱的影响。通过对光纤光栅参数的优化，可以使无致冷980nm泵浦激光器在0—70℃下稳定工作。

980nm双包层光子晶体光纤激光器

采用内包层直径为200μm、纤芯直径40μm,长度45 cm的掺镱双包层光子晶体光纤作为增益介质,915 nm激光二极管(LD)泵浦源,实现了运转于准三能级系统的980 nm连续激光输出。双端输出时,总输出功率为463.3 mW,斜效率为17.8%;单端输出时,输出功率为543 mW,斜效率为11.6%。

980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器

提出了优化由两个均匀布拉格光纤光栅组成的980nm半导体激光器波长锁定器的方法以满足光纤放大器对半导体激光器的性能要求。运用耦合模理论推导了双布拉格光纤光栅(FBG)的透射率和反射率的解析表达式和波长锁定器增益方程。研究了两光栅之间的距离、光栅到激光器前端面的距离、光栅折射率、光栅折射率周期、光栅栅长和温度对激光器增益曲线的影响,并通过优化这些参数来达到最佳的锁模性能。测量了带双FBG波长锁定器的非致冷半导体激光器的输出光谱和出纤功率。实验结果表明:高功率非致冷980nm半导体激光器在0～70℃时的波长漂移为0.5nm,边模抑制比达45dB以上,半峰值全宽度<1nm。经优化设计的980nm半导体激光器FBG波长锁定器可满足光纤放大器对非致冷半导体激光器大功率、长寿命、高可靠性、小尺寸等性能的要求。

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析

本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究(英文)

报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注入区 .腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入 ,因此减少了非辐射复合的发生 ,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值 .应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到 44 0 5mW ,没有发生COD现象 .而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为 40 7 5mW .同常规工艺相比 ,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了 8% .

高性能980nm单模半导体激光器

采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89W/A.垂直方向远场发散角为28°.器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW.器件在70℃温度下仍可以正常工作。

GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展

GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。

980nm半导体激光器温度控制方案设计

980nm半导体激光器作为掺铒光纤放大器的最佳泵浦源,其温度会影响激光器功率稳定性和放大器输出光谱漂移。提出将现场可编程门阵列(FPGA)作为核心控制元件,以半导体制冷器为执行元件、热敏电阻为温度传感器,利用FPGA自动切换内部状态机、控制流入半导体制冷器电流的方向和大小,实现980nm半导体激光器内部的温度控制,并通过搭建基于FPGA的掺铒光纤放大器系统实验装置,验证所提方法的可行性。实验结果表明:所提出的温度控制方法能有效地实现980nm半导体激光器的温度控制,使其功率-电流曲线的线性拟合度提高了23.07%,掺铒光纤放大器的输出光谱波长偏移减小了62.5%,保证了激光器输出功率及放大器输出波长的稳定性。该方法的结构简单且实时性高,对推进半导体激光器温度控制的发展及应用具有非常重要的意义。

980nm高速脉冲激光光源的研制

脉冲泵浦条件下EDFA特性的研究具有重要价值,因此需要高性能的脉冲泵浦激光器。介绍了以iC-HG为核心芯片设计980nm脉冲激光器的驱动电路,同时以DRV591为核心芯片设计脉冲激光器的温控电路,研究了脉冲泵浦激光器设计和制作中的关键问题。该激光器可以直流激光输出和脉冲激光输出,且脉冲宽度、激光功率、占空比均可调,脉冲宽度最小可达10ns,直流光功率可达180mW,脉冲峰值功率可达160mW。

高增益铒镱共掺磷酸盐玻璃光纤均研制

通过一系列的实验及其调试，我们华南理工大学光通信材料研究所在广东省自然基金重点项目“掺稀土有源光纤”和广东省科技攻关重大项目“全波放大器光纤研制”的资助下，在国内率先研制出高浓度铒、镱共掺磷酸盐光钎(纤芯直径7μm，数值孔径为0.2)。利用980nm半导体激光器抽运长度为1.5cm磷酿盐光纤，在1.5μm的通信窗口对小信号实现了3.8dB的净增益，单位长度增益2.5dB/cm，比目前商用石英放大器高两个数量级。