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Deep-sea Pollen Record during 3.0-2.0 Ma B.P. from ODP Site 1143 and Its Response to Global Climate Changes 被引量:1
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作者 袁金红 罗运利 +1 位作者 徐兆良 孙湘君 《Marine Science Bulletin》 CAS 2006年第1期1-10,共10页
In order to study vegetation evolution and environmental changes around 2.5 Ma B.P., a total of 146 pollen samples with an average time resolution of 7 000 years were analyzed in the deep-sea record at the depth of 13... In order to study vegetation evolution and environmental changes around 2.5 Ma B.P., a total of 146 pollen samples with an average time resolution of 7 000 years were analyzed in the deep-sea record at the depth of 135 - 95 m (in composition depth) from ODP Site 1143 (9° 22' N, 113° 17' E) in the southern South China Sea. The results show that the pollen influx has a distinct change. During 2.6 - 2.0 Ma B.P., the average value of pollen influx increased evidently compared with that of 3.0 - 2.6 Ma B.P. It shows that the sea level of SCS dropped dramatically around 2.6 Ma B.P., corresponding to the formation of the Northern Hemisphere ice-sheets and the enhancement of the East Asian Monsoon. The pollen influx variations reflect the glacial-interglacial cycles corresponding with the deep-sea oxygen isotope curve and indicate that the sea level of SCS rose and dropped many times after 2.6 Ma B.P. The spectrum analysis results of pollen influx show that there are cycles at 0.1Ma (eccentricity) and 46.9 ka (obliquity) during 3.0 - 2.0 Ma B.P. 展开更多
关键词 pollen influx 3.0 - 2.0 Ma b.P. ODP site 1143 the South China Sea
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砂磨固相法快速制备Ca掺杂的BaTiO_(3)陶瓷及其结构和电性能研究
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作者 林彤 郭全胜 潘瑞琨 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 2025年第1期153-162,共10页
Ca^(2+)可掺杂在BaTiO_(3)(BT)陶瓷的A及B位。本文中系统研究B位掺杂Ca元素对BaTiO_(3)陶瓷的相结构与微观形貌、介电性能、可靠性和铁电性能的影响。采用砂磨-固相反应-造粒-压片方法制备BaTi_(1-x)Ca_(x)O_(3)-x(BTC-x,其中x=0,0.01,0... Ca^(2+)可掺杂在BaTiO_(3)(BT)陶瓷的A及B位。本文中系统研究B位掺杂Ca元素对BaTiO_(3)陶瓷的相结构与微观形貌、介电性能、可靠性和铁电性能的影响。采用砂磨-固相反应-造粒-压片方法制备BaTi_(1-x)Ca_(x)O_(3)-x(BTC-x,其中x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)陶瓷样品。随着Ca掺杂量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸先增大后减小,样品居里温度T_(c)持续降低,其中BTC-1样品具有较高和较宽的介电峰及极小的损耗。利用高温阻抗谱对样品进行了可靠性分析,可知BTC-2的电学失效的风险最分散。由P-E电滞回线可知:在掺杂样品中,BTC-2的P_(max)值最大,归因于其内部可供极化的空间电荷浓度高。综上所述,当Ca元素在BT的B位掺杂量较低时,BTC材料具有良好的介电性能及可靠性,能应用于片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitors,MLCC)行业。 展开更多
关键词 固相烧结 b位掺杂 baTiO_(3)陶瓷 介电性能
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B位掺杂提升CsSnI_(3)钙钛矿结构和电荷稳定性的第一性原理研究
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作者 赵思健 葛治中 杨旭东 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期144-152,共9页
全无机CsSnI_(3)钙钛矿拥有理想的带隙宽度(1.3 eV),光电转化效率理论峰值达到33%.目前CsSnI_(3)太阳能电池的发展受制于的CsSnI_(3)的结构不稳定性和Sn^(2+)易被氧化为Sn^(4+)的问题.研究基于第一性原理,详细探讨了一系列金属元素对CsS... 全无机CsSnI_(3)钙钛矿拥有理想的带隙宽度(1.3 eV),光电转化效率理论峰值达到33%.目前CsSnI_(3)太阳能电池的发展受制于的CsSnI_(3)的结构不稳定性和Sn^(2+)易被氧化为Sn^(4+)的问题.研究基于第一性原理,详细探讨了一系列金属元素对CsSnI_(3)进行B位掺杂改性的方案,旨在提升CsSnI_(3)结构稳定性,并抑制CsSnI_(3)中Sn^(2+)被氧化为Sn^(4+)的问题.计算结果表明,在CsSnI_(3)钙钛矿B位掺杂三价金属Sb、Bi能够阻碍CsSnI_(3)相变生成Cs_(2)SnI_6,并且抑制Sn^(2+)的氧化;尤其在晶格中存在锡空位缺陷时,Sb、Bi掺杂对于Sn^(4+)形成的抑制效果更为显著.同时,低浓度的Sb、Bi掺杂不会改变CsSnI_(3)的直接带隙特性,且带隙宽度变化较小,因此能够在维持CsSnI_(3)优良光电活性的基础上进一步提高结构和电荷的稳定性.研究结果为实现高效且稳定的CsSnI_(3)钙钛矿太阳能电池提供了重要的理论指导. 展开更多
关键词 全无机锡基钙钛矿 第一性原理 b位掺杂 相稳定性 电子结构
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B位Cr^(3+)-Fe^(3+)共掺杂铝酸镧的红外辐射性能 被引量:6
4
作者 王曲 张一帆 +1 位作者 王刚 张伟 《耐火材料》 CAS 北大核心 2021年第2期98-101,共4页
以La 2O 3粉、Al_(2)O_(3)粉、Cr 2O 3粉、Fe 2O 3粉为原料,按照LaAl 1-x-y Cr x Fe y O 3(x=y=0,0.1,0.2,0.25)的化学计量比配料,依次经球磨、烘干、在1200℃预烧、再球磨、成型、1600℃保温2 h烧结后,制备了Cr 3+-Fe 3+共掺杂铝酸镧材... 以La 2O 3粉、Al_(2)O_(3)粉、Cr 2O 3粉、Fe 2O 3粉为原料,按照LaAl 1-x-y Cr x Fe y O 3(x=y=0,0.1,0.2,0.25)的化学计量比配料,依次经球磨、烘干、在1200℃预烧、再球磨、成型、1600℃保温2 h烧结后,制备了Cr 3+-Fe 3+共掺杂铝酸镧材料,然后利用XRD、XPS、IR等手段进行分析表征。结果表明:掺杂后产物均为钙钛矿结构化合物。Cr 3+-Fe 3+共掺杂试样在近红外波段的辐射性较未掺杂的LaAlO 3大幅提高,试样LaAl 0.5 Cr 0.25 Fe 0.25 O 3在0.76~2.5μm波段的红外发射率从0.236提高到0.83。红外发射率提高的机制在于:Cr 3+-Fe 3+共掺杂后形成了跃迁激活能仅为0.1 eV的Fe 3+Fe 4+小极化子,并且带隙中引入了对应于Cr 5+和Cr 6+的杂质能级,增强了杂质吸收和自由载流子吸收,从而提高了材料在近红外的发射率。 展开更多
关键词 铝酸镧 红外发射率 b位掺杂 陶瓷材料
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BaTi_(1-x)Ce_(x)O_(3)陶瓷结构特性与介电性能的实验研究及第一性原理计算
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作者 汪丰麟 毛海军 +3 位作者 曹艳 席丽丽 白书欣 张为军 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期130-141,共12页
BaTiO_(3)具有高介低损、廉价环保的优点,但其介电常数在相变温度附近发生非线性变化的特性限制了其在宽温稳定型电容器领域的应用。为改善BaTiO_(3)的介温特性,本工作利用固相合成法制备BaTi_(1-x)Ce_(x)O_(3)(x=0~0.20)陶瓷,在BaTiO_... BaTiO_(3)具有高介低损、廉价环保的优点,但其介电常数在相变温度附近发生非线性变化的特性限制了其在宽温稳定型电容器领域的应用。为改善BaTiO_(3)的介温特性,本工作利用固相合成法制备BaTi_(1-x)Ce_(x)O_(3)(x=0~0.20)陶瓷,在BaTiO_(3)的B位(Ti位)引入Ce掺杂,通过实验方法研究不同Ce掺杂量对陶瓷相演变、缺陷状态、微观形貌与介电性能的影响规律,并结合第一性原理计算方法探究掺杂改性的作用机理。结果表明:在所有陶瓷样品中,Ce元素均以Ce 4+形式完全进入B位。随着Ce掺杂量的增加,BaTi_(1-x)Ce_(x)O_(3)陶瓷的室温结构由四方/赝立方共存结构转变为正交/四方结构,再转变为赝立方相结构。由于Ce 4+与Ti 4+的离子半径差异,Ce掺杂使得陶瓷的晶格常数上升,导致局部晶格畸变与铁电结构长程有序度的降低,引起能带结构、态密度与电荷密度分布的变化,并诱发Ba空位与Ti空位的生成。相较纯BaTiO_(3)陶瓷而言,Ce掺杂使得陶瓷的平均晶粒尺寸出现先减小后增加的变化规律,而陶瓷的致密度则逐渐上升。BaTi_(1-x)Ce_(x)O_(3)陶瓷的峰值介电常数随Ce掺杂量上升呈现先上升后下降的变化规律,其介电常数峰值温度在x=0~0.08成分区间内由122℃缓慢下降至112℃,而在x=0.08~0.20区间内快速下降至-3℃。具有x≥0.06取值的BaTi_(1-x)Ce_(x)O_(3)陶瓷表现出弥散相变的介电行为,而x=0.20陶瓷具有弛豫铁电体的典型特征,室温介电常数3258.38(10 kHz),|Δεr/εr25℃|≤22%的温度区间为-60~87℃,介温稳定性符合EIA X5S标准。由此可见,B位Ce掺杂可以有效改善BaTiO_(3)介电常数在变温环境中的稳定性,这将为研发宽温范围内具有稳定介电性能的介质材料提供新的思路。 展开更多
关键词 钛酸钡 b位掺杂 结构特性 介电性能
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sol-gel法制备B位掺杂铝酸镧红外辐射陶瓷材料 被引量:4
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作者 常晴 李江霖 +1 位作者 刘庆生 游拯 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期43-49,共7页
采用sol-gel法制备Fe、Fe-Ni离子B位掺杂的LaAlO3基红外辐射陶瓷材料,通过XRD、FTIR、SEM、IR-2、XPS等手段对掺杂试样进行表征分析。研究结果表明,掺杂后所得产物皆为钙钛矿结构复合氧化物,掺杂Fe后红外发射率有所提高但增加幅度较小,F... 采用sol-gel法制备Fe、Fe-Ni离子B位掺杂的LaAlO3基红外辐射陶瓷材料,通过XRD、FTIR、SEM、IR-2、XPS等手段对掺杂试样进行表征分析。研究结果表明,掺杂后所得产物皆为钙钛矿结构复合氧化物,掺杂Fe后红外发射率有所提高但增加幅度较小,Fe-Ni共掺试样的红外辐射性能明显改善。当Fe3+掺杂量x=0.25时,在3~5μm波段的红外发射率从0.345提高到了0.821。红外发射率提高的物理机制在于:B位掺杂后存在产生氧空位和化学价变化两种补偿机制。化学价变化可产生Ni 3+Ni 2+和Fe3+Fe2+等小极化子,有助于电子从价带到导带的跃迁;随着氧空位浓度的增加,吸附氧比例增大,有利于提高材料在近中红外波段的吸收性能。因此,铝酸镧型材料作为炉窑的内衬材料可提高炉内辐射传热,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 铝酸镧 b位掺杂 SOL-GEL法 红外发射率 红外辐射 陶瓷材料
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B位Hf掺杂对0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3陶瓷结构与性能的影响
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作者 彭聪斐 黄荣厦 +2 位作者 黎家就 熊顺进 林华泰 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2020年第3期221-226,233,共7页
以HfO2的形式将Hf元素掺杂到BNBT陶瓷中,采用固相烧结法制备(Bi0.5Na0.5)0.94 Ba0.06Ti1−0.01xHf0.01xO3(100BNBT-xHf,x=0~2.0,摩尔分数)无铅陶瓷,系统研究Hf掺杂对100BNBT-xHf陶瓷晶体结构、显微结构和电学性能的影响。结果表明,所有10... 以HfO2的形式将Hf元素掺杂到BNBT陶瓷中,采用固相烧结法制备(Bi0.5Na0.5)0.94 Ba0.06Ti1−0.01xHf0.01xO3(100BNBT-xHf,x=0~2.0,摩尔分数)无铅陶瓷,系统研究Hf掺杂对100BNBT-xHf陶瓷晶体结构、显微结构和电学性能的影响。结果表明,所有100BNBT-xHf陶瓷均处于准同型相界区,为纯钙钛矿结构。添加少量HfO2可有效地促进100BNBT-xHf陶瓷的晶粒长大,100BNBT-1.0Hf的平均晶粒尺寸达到2.30μm。从室温环境下测量的电滞回线中发现,随HfO2含量增加,该100BNBT-xHf陶瓷从正常铁电相变为弛豫铁电相再转变为顺电相,其中的100BNBT-1.0Hf表现出优异的铁电性,而100BNBT-2.0Hf陶瓷则具有良好的储能特性,储能效率达到38.23%;在电致应变方面,100BNBT-1.0Hf陶瓷具有高电场应变和大逆压电常数,分别为0.35%和583 pm/V。 展开更多
关键词 bNT-bT Hf掺杂 场致应变 b位掺杂 固相烧结
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BaRu_(1-x)Mn_(x)O_(3)晶体的水热合成及表征
8
作者 王珊 张天明 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2022年第4期36-41,共6页
采用水热方法制备了B位掺杂Mn元素的钙钛矿结构BaRuO_(3)系列复合氧化物晶体样品,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜和XPS对样品的结构、形貌以及中心元素价态进行了测试分析。研究表明,随着Mn掺杂量的增大,样品的晶胞参数随之逐渐减小,... 采用水热方法制备了B位掺杂Mn元素的钙钛矿结构BaRuO_(3)系列复合氧化物晶体样品,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜和XPS对样品的结构、形貌以及中心元素价态进行了测试分析。研究表明,随着Mn掺杂量的增大,样品的晶胞参数随之逐渐减小,晶胞产生了明显的收缩。同时体系中Mn元素的掺杂量对晶粒的尺寸也产生了明显的影响,Mn元素掺杂量越多,得到的产物晶粒越小。XPS价态分析表明中心元素Ru及Mn均显示+4价。本工作对进一步研究BaRu_(1-x)Mn_(x)O_(3)系列化合物的物理性质提供了基础数据参考。 展开更多
关键词 水热合成 b位掺杂 baRuO_(3) 元素价态
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掺杂对PMN-10PT铁电陶瓷介电性能的影响 被引量:4
9
作者 姚文龙 冯楚德 +1 位作者 杨毅 喻佑华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1181-1186,共6页
铌镁酸铅与钛酸铅组成比为9:1(PMN-10PT)的固溶体陶瓷是典型的弛豫铁电体,其介电行为与偶极玻璃的介电行为极为相似.本文使用常用的Swartz两步法,研究了基体掺杂不同物质对PMN-10PT铁电陶瓷的介电性能的影响.经研究发现,当掺入Li2O时,... 铌镁酸铅与钛酸铅组成比为9:1(PMN-10PT)的固溶体陶瓷是典型的弛豫铁电体,其介电行为与偶极玻璃的介电行为极为相似.本文使用常用的Swartz两步法,研究了基体掺杂不同物质对PMN-10PT铁电陶瓷的介电性能的影响.经研究发现,当掺入Li2O时,材料的峰值介电常数为28640,大于纯PMN-10PT,而频率色散和弥散相变的程度都变小.当掺杂CaO和Yb2O3时,材料的峰值介电常数下降,分别为19300和18850,它们的频率色散和弥散相变的程度都变大了.同时通过拉曼光谱研究了PMN-10PT陶瓷的B位离子有序度的变化. 展开更多
关键词 PMN-10PT铁电陶瓷 介电性能 掺杂 有序度 氧化镍 介电常数 铌镁酸铅 钛酸铅
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Ba/Ti摩尔比对B位钙掺杂钛酸钡性能的影响 被引量:4
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作者 李艳霞 姚熹 张良莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期12-14,共3页
研究了Ba/Ti摩尔比、B位钙掺杂量和烧结气氛对钛酸钡陶瓷的致密化、微观结构、电阻率以及介电性能的影响。结果表明,随着Ba/Ti摩尔比的增加,样品密度增大,陶瓷晶粒变小,致密化程度增加,材料的居里点向低温方向移动,漏导损耗减小,电阻率... 研究了Ba/Ti摩尔比、B位钙掺杂量和烧结气氛对钛酸钡陶瓷的致密化、微观结构、电阻率以及介电性能的影响。结果表明,随着Ba/Ti摩尔比的增加,样品密度增大,陶瓷晶粒变小,致密化程度增加,材料的居里点向低温方向移动,漏导损耗减小,电阻率增加。而随着钙掺杂量的增加,样品密度减小,孔洞增大增多,漏导损耗增大,电阻率减小。 展开更多
关键词 钛酸钡 ba/Ti摩尔比 b位掺杂 电阻率 介电性能
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B位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)的研究 被引量:2
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作者 顾骏 李伟 +1 位作者 吕笑梅 朱劲松 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期298-301,共4页
制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子... 制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化. 展开更多
关键词 铁电 钛酸铋 b位掺杂
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B位掺杂对钙钛矿锰氧化物的磁电性质影响的研究 被引量:2
12
作者 王桂英 刘宁 《宿州学院学报》 2008年第5期108-111,43,共5页
通过比较和分析不同离子B位掺杂对钙钛矿锰氧化物的磁性质和电输运性质的影响,结果表明,离子的价态磁性以及电子结构都是影响体系的磁电性质的重要的因素。
关键词 钙钛矿锰氧化物 b位掺杂 双交换
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B位掺杂(CH_3NH_3)Pb_(0.5)M_(0.5)I_3(M=C,Si,Ge,Sn)环境友好型光电转化材料第一性原理研究
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作者 纪登辉 肖心举 +4 位作者 张聪敏 胡明哲 蒋会显 李秀玲 尹跃 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第4期308-314,共7页
采用Material Studio(MS)计算软件中的CASTEP软件包构建出环境友好型钙钛矿太阳能电池材料(CH3NH3)Pb0.5M0.5I3(M=C,Si,Ge,Sn)包括母体在内的共计25种位形,研究了B位掺杂对其结构和物理性能的影响.首先,通过GGA+WC关联函数对25种位形分... 采用Material Studio(MS)计算软件中的CASTEP软件包构建出环境友好型钙钛矿太阳能电池材料(CH3NH3)Pb0.5M0.5I3(M=C,Si,Ge,Sn)包括母体在内的共计25种位形,研究了B位掺杂对其结构和物理性能的影响.首先,通过GGA+WC关联函数对25种位形分别进行几何优化和能量优化,并获得最终优化后的几何结构与总能量;其次,寻找到能量最低对应的几何结构,并将该结构作为最稳定结构进行研究;计算结果表明,所有位形都属于半导体.随着B位掺杂元素有效离子半径的减小,晶胞体积收缩,带隙有减小的趋势,在费米能级附近态密度分裂成的子带数量逐渐增加,电子密度逐渐降低,光学吸收峰逐渐从高频向低频移动. 展开更多
关键词 钙钛矿太阳能电池 b位掺杂 第一性原理 能带结构 光学吸收性能
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Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究 被引量:3
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作者 姚阳阳 宋春花 +2 位作者 包志豪 朱劲松 王业宁 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期22-23,26,共3页
测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电... 测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响. 展开更多
关键词 bi4Ti3O12陶瓷 介电损耗 b位掺杂 弛豫峰 A位掺杂 铁电性 铁电体 钛酸铋
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Ti^4+掺杂M型六角铁氧体BaFe12–xTixO19陶瓷的磁学和介电特性 被引量:1
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作者 柏嘉玮 杨静 +1 位作者 吕桢飞 唐晓东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期43-48,共6页
六角铁氧体由于其具备高温下的低场磁电耦合特性,有望应用于新型多态存储器及磁电传感器等微电子器件。利用Ti^4+离子对M型六角铁氧体BaFe12O19进行B位掺杂,不仅可以调控材料的磁结构和磁学特性,同时,Ti离子在六角铁氧体B位的不等价掺... 六角铁氧体由于其具备高温下的低场磁电耦合特性,有望应用于新型多态存储器及磁电传感器等微电子器件。利用Ti^4+离子对M型六角铁氧体BaFe12O19进行B位掺杂,不仅可以调控材料的磁结构和磁学特性,同时,Ti离子在六角铁氧体B位的不等价掺杂还可以产生相关缺陷、载流子和变价Fe离子进而改变其电学特性。本研究采用固相烧结法制备了M型六角铁氧体BaFe12–xTixO19(x=0,0.5,1,1.5)陶瓷,并对其进行了性能表征和测试,研究了B位Ti^4+掺杂对材料结构、磁学和介电特性的影响。研究结果表明,BaFe12–xTixO19呈现上、下自旋反平行的亚铁磁序。当Ti^4+离子掺杂量较低时,更易取代位于上自旋格子的Fe3+离子,其磁化强度随Ti掺杂量的增加而减小;随着Ti4+离子掺杂量的进一步增加,位于下自旋格子的Fe^3+离子也会逐渐被取代,此时,饱和磁化强度随掺杂量的增加而增加。此外,Ti^4+离子的引入也会使晶粒内部呈现半导性,在晶粒/晶界处产生Maxwell-Wagner界面极化,故而M型六角铁氧体BaFe12–xTixO19陶瓷会出现明显的低频介电增强并伴随着Maxwell-Wagner介电弛豫。 展开更多
关键词 b位离子掺杂 M型六角铁氧体 磁学特性 介电特性
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B位离子掺杂全无机钙钛矿量子点的合成及性能研究进展 被引量:3
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作者 朱梦梦 白珏垚 +1 位作者 陈人杰 李会利 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1541-1555,共15页
全无机钙钛矿量子点因其优异的发光性能得到了广泛的研究和关注。但是因为其本身的Pb元素带来的毒性和较差的稳定性,使其在生产和应用方面依然面临着诸多阻碍。B位掺杂作为一种有效改善钙钛矿量子点发光性能和降低其毒性的方法得到了长... 全无机钙钛矿量子点因其优异的发光性能得到了广泛的研究和关注。但是因为其本身的Pb元素带来的毒性和较差的稳定性,使其在生产和应用方面依然面临着诸多阻碍。B位掺杂作为一种有效改善钙钛矿量子点发光性能和降低其毒性的方法得到了长足的发展。本文介绍了近年来涌现出的便于合成B位掺杂全无机钙钛矿量子点的方法,并结合最新的研究进展,对B位掺杂的原理和其对于钙钛矿量子点发光性能和稳定性的影响机制进行了总结,同时展望了B位掺杂的全无机钙钛矿量子点未来的发展趋势及应用前景。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿量子点 b位掺杂 发光性能 稳定性
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B位取代CaBi_2Nb_2O_9陶瓷微观结构与电学性能对比研究 被引量:2
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作者 邢星河 彭志航 曹峰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期56-63,共8页
CaBi_2Nb_2O_9(CBN)陶瓷居里温度高达940℃,为高温压电应用提供了必要条件。可能起施主作用的Cr,Mo,W,Sb掺杂离子被引入到CaBi_2Nb_2O_9(CBN)陶瓷的晶格中。对掺杂陶瓷的微观结构和电学性质进行了对比研究。SEM图像表明,掺杂的CBN基陶瓷... CaBi_2Nb_2O_9(CBN)陶瓷居里温度高达940℃,为高温压电应用提供了必要条件。可能起施主作用的Cr,Mo,W,Sb掺杂离子被引入到CaBi_2Nb_2O_9(CBN)陶瓷的晶格中。对掺杂陶瓷的微观结构和电学性质进行了对比研究。SEM图像表明,掺杂的CBN基陶瓷,特别是CBN-W陶瓷的晶粒尺寸,均小于纯CBN陶瓷。W掺杂CBN陶瓷晶胞参数和电学性质结果表明,陶瓷中的W元素应为施主掺杂离子W^(6+)。Sb掺杂CBN陶瓷的晶胞体积和电学性质表明,Sb元素在CBN陶瓷中为+5价。+5价Cr,Mo元素存在于陶瓷中,无法形成+6价的原因可能是由于+6价离子半径较小,易产生晶格失配。W掺杂CBN陶瓷在所有组分中具有最高的d_(33)值,约13 pC/N时。Cr,Mo,Sb掺杂陶瓷也相对CBN基陶瓷具有更高的压电活性。此外,所有掺杂CBN陶瓷均具有良好的热稳定性、较高的居里温度和较低的介电损耗,表明Cr,Mo,W,Sb离子是可改善CBN基陶瓷性能的有效掺杂离子。 展开更多
关键词 b位取代 掺杂效应 氧空位 电性能
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双钙钛矿氧化物中B位掺杂对固体氧化物燃料电池性能的影响 被引量:2
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作者 雷金勇 黄旭锐 +9 位作者 崔景赠 夏梓汀 朱健秋 潘军 杨怡萍 于丰源 廖梓豪 王建强 张宇轩 张林娟 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期68-76,共9页
作为氢燃料利用的核心器件,固体氧化物燃料电池(Solid Oxide Fuel Cell,SOFC)可以高效地将燃料气转化为电能。燃料电池中的阴极作为氧还原反应的发生场所,不仅对性能输出占有重要的影响,而且还是燃料电池的稳定性和寿命的关键决定因素... 作为氢燃料利用的核心器件,固体氧化物燃料电池(Solid Oxide Fuel Cell,SOFC)可以高效地将燃料气转化为电能。燃料电池中的阴极作为氧还原反应的发生场所,不仅对性能输出占有重要的影响,而且还是燃料电池的稳定性和寿命的关键决定因素。针对阴极材料的研究在推动燃料电池技术发展及产业化进程中具有重要意义。为了提升阴极的电化学性能,本文对双钙钛矿结构氧化物PrBa_(0.8)Ca_(0.2)Co_(2)O_(5+δ)(PBCC)中的钴元素进行掺杂调控,研究掺杂元素的种类、浓度对材料电化学性能的影响,通过电化学性能测试确定了最优的掺杂元素类型和含量。当使用掺杂5 mol%铁元素的PBCC材料作为阴极时,燃料电池在700℃的最大功率达到了1259 mW∙cm^(-2),远优于未掺杂时的988 mW∙cm^(-2)。对掺杂元素含量和种类的优化有助于提升固体氧化物燃料电池的电化学性能。 展开更多
关键词 固体氧化物燃料电池 阴极 双钙钛矿 b-位掺杂
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B位Mn/W共掺杂对Bi_(4)Ti_(3)O_(12)铋层状压电陶瓷的电学性能影响 被引量:1
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作者 梁志豪 黄荣厦 张艺 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2023年第4期719-726,共8页
采用直接反应烧结法制备Mn/W共掺杂的Bi_(4)Ti_(3-x)(Mn_(1/3)W_(2/3))_(x)O_(12)(BITMW-100x,0.01<x<0.07)铋层状高温压电陶瓷,研究Mn/W掺杂含量对BITMW-100x陶瓷的结构和电学性能的影响。XRD图谱结果显示,所有样品均表现出单一... 采用直接反应烧结法制备Mn/W共掺杂的Bi_(4)Ti_(3-x)(Mn_(1/3)W_(2/3))_(x)O_(12)(BITMW-100x,0.01<x<0.07)铋层状高温压电陶瓷,研究Mn/W掺杂含量对BITMW-100x陶瓷的结构和电学性能的影响。XRD图谱结果显示,所有样品均表现出单一相。随着Mn/W掺杂含量的增加,SEM图谱中观察到陶瓷晶粒的尺寸呈现先变大后变小的趋势。介温图谱中发现Mn/W的掺杂能有效抑制Bi_(4)Ti_(3)O_(12)陶瓷样品的介电损耗,同时居里温度也呈现小幅度下降。Mn/W在取代Ti离子后能减少Bi_(4)Ti_(3)O_(12)陶瓷的氧空位缺陷浓度,减少氧空位对电畴的钉扎效应,提升压电系数。当Mn/W掺杂含量x=0.05时,陶瓷样品具有最佳的综合性能:介电损耗(tanδ)为0.7%,居里温度为674℃,压电常数(d_(33))为18.1pC·N^(-1),同时压电常数具有良好的热稳定性。 展开更多
关键词 压电陶瓷 bi_(4)Ti_(3)O_(12) b位掺杂 铁电 铋层状结构
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B位Ce4+掺杂对Sm2Zr2O7组织结构及介电性能影响 被引量:2
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作者 李振军 李昊 张红松 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期25-30,共6页
采用固相反应法制备了Sm2(Zr1-xCex)2O7陶瓷材料,采用XRD和FT-IR技术分析了其晶体结构,用SEM技术分析了其显微组织,用阻抗仪测试其介电性能。结果表明,所制备Sm2(Zr1-xCex)2O7陶瓷显微组织致密,晶粒大小比较均匀,晶界十分干净,并且Sm2(Z... 采用固相反应法制备了Sm2(Zr1-xCex)2O7陶瓷材料,采用XRD和FT-IR技术分析了其晶体结构,用SEM技术分析了其显微组织,用阻抗仪测试其介电性能。结果表明,所制备Sm2(Zr1-xCex)2O7陶瓷显微组织致密,晶粒大小比较均匀,晶界十分干净,并且Sm2(Zr1-xCex)2O7陶瓷的相结构与掺杂量相关,Sm2(Zr1-xCex)2O7(x=0,0.1)为焦绿石结构,Sm2(Zr1-xCex)2O7(x=0.2,0.3,0.4)为萤石结构。Sm2(Zr1-xCex)2O7陶瓷材料在B位大半径离子掺杂时,分子总极化率随掺杂量的增加而增大,介电常数和介电损耗随掺杂量的增加而增大。 展开更多
关键词 稀土锆酸盐 b位掺杂 极化率 介电常数
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