A:Al_2O_3(A=Cr,Fe,Ni)晶体生长及其缺陷研究

报道了A：Al2O3（A=Cr,Fe,Ni）晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6-8 mm、长度为60-80 mm的A：Al2O3晶体.A：Al2O3晶体的生长方向为〈001〉方向,X射线双晶摇摆曲线表明A：Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A：Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A：Al2O3晶体的光谱性能,并对A：Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A：Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr（12.1-15.7）和较小的介电损耗tanδ（0.0020-0.0002）.