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溶胶一凝胶法制备ZnO:Al导电薄膜的研究
被引量:
1
1
作者
孙福来
谭红琳
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期824-826,共3页
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性...
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性能。实验发现:当Al^3+离子掺杂浓度为2%(原子分数),前处理温度为220℃、退火温度为580℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为1.76×10^-3Ω-cm,其在可见光的平均透射率在80%左右。
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关键词
溶胶-凝胶法
ZNO
^
a1
^3+
离子
掺杂
透明导
电薄膜
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职称材料
题名
溶胶一凝胶法制备ZnO:Al导电薄膜的研究
被引量:
1
1
作者
孙福来
谭红琳
机构
昆明理工大学材料与冶金学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期824-826,共3页
文摘
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性能。实验发现:当Al^3+离子掺杂浓度为2%(原子分数),前处理温度为220℃、退火温度为580℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为1.76×10^-3Ω-cm,其在可见光的平均透射率在80%左右。
关键词
溶胶-凝胶法
ZNO
^
a1
^3+
离子
掺杂
透明导
电薄膜
Keywords
sol-gel
ZnO
^
Al^
3
+-doped
transparent-conductingfilms
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
溶胶一凝胶法制备ZnO:Al导电薄膜的研究
孙福来
谭红琳
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
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