期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
A1掺杂半导体Mg_2Si薄膜的制备及光学带隙研究
被引量:
5
1
作者
王善兰
廖杨芳
+4 位作者
房迪
吴宏仙
肖清泉
杨云良
谢泉
《量子电子学报》
CSCD
北大核心
2017年第5期635-640,共6页
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si...
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si衍射峰先增强后减弱。SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423~0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72~0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.
展开更多
关键词
材料
MgzSi薄膜
a1掺杂
光学带隙
显微
下载PDF
职称材料
掺铝对ZnO薄膜光学常数的影响
被引量:
2
2
作者
洪伟铭
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期205-208,共4页
采用溶胶-凝胶法在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO∶Al薄膜,利用Kramers-Kronig色散关系对ZnO∶Al薄膜在300~600nm波长区域的光学常数进行计算,研究了掺杂浓度对薄膜光学常数的影响。计算结果显示,在可见光区,薄膜的光学常数受铝掺杂...
采用溶胶-凝胶法在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO∶Al薄膜,利用Kramers-Kronig色散关系对ZnO∶Al薄膜在300~600nm波长区域的光学常数进行计算,研究了掺杂浓度对薄膜光学常数的影响。计算结果显示,在可见光区,薄膜的光学常数受铝掺杂浓度的影响很小,折射率、消光系数、复介电常数实部和虚部的数值基本恒定,分别约为1.6,0.08,0.27和2.5。在紫外区,薄膜光学常数受掺杂浓度的影响明显,随掺杂浓度提高,光学常数数值均减小,并且都在激子吸收峰(370 nm)处出现一极大值。
展开更多
关键词
ZNO薄膜
折射率
a1掺杂
溶胶-凝胶
Kramers—Kronig色散关系
下载PDF
职称材料
溶胶一凝胶法制备ZnO:Al导电薄膜的研究
被引量:
1
3
作者
孙福来
谭红琳
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期824-826,共3页
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性...
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性能。实验发现:当Al^3+离子掺杂浓度为2%(原子分数),前处理温度为220℃、退火温度为580℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为1.76×10^-3Ω-cm,其在可见光的平均透射率在80%左右。
展开更多
关键词
溶胶-凝胶法
ZNO
a1
^3+离子
掺杂
透明导
电薄膜
下载PDF
职称材料
A1N薄膜的发光性能
4
作者
蔡明
邱万奇
《中国科技成果》
2009年第10期31-34,36,共5页
本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级...
本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级返回到低能级时发光的过程称为光致发光过程,光源可为紫外线、红外线、可见光、X射线等。
展开更多
关键词
a1
N
掺杂
电致发光
光致发光
原文传递
题名
A1掺杂半导体Mg_2Si薄膜的制备及光学带隙研究
被引量:
5
1
作者
王善兰
廖杨芳
房迪
吴宏仙
肖清泉
杨云良
谢泉
机构
贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所
贵州师范大学物理与电子科学学院
出处
《量子电子学报》
CSCD
北大核心
2017年第5期635-640,共6页
基金
国家自然科学基金
61264004
+6 种基金
贵州省自然科学基金
[2014]2052
[2013]2209
贵州省国际科技合作项目
[2013]7003
贵州大学研究生创新基金
2016068~~
文摘
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si衍射峰先增强后减弱。SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423~0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72~0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.
关键词
材料
MgzSi薄膜
a1掺杂
光学带隙
显微
Keywords
materials
Mg2Si thin films
Al doping
optical band gap
microscopy
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
掺铝对ZnO薄膜光学常数的影响
被引量:
2
2
作者
洪伟铭
机构
湛江师范学院
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期205-208,共4页
文摘
采用溶胶-凝胶法在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO∶Al薄膜,利用Kramers-Kronig色散关系对ZnO∶Al薄膜在300~600nm波长区域的光学常数进行计算,研究了掺杂浓度对薄膜光学常数的影响。计算结果显示,在可见光区,薄膜的光学常数受铝掺杂浓度的影响很小,折射率、消光系数、复介电常数实部和虚部的数值基本恒定,分别约为1.6,0.08,0.27和2.5。在紫外区,薄膜光学常数受掺杂浓度的影响明显,随掺杂浓度提高,光学常数数值均减小,并且都在激子吸收峰(370 nm)处出现一极大值。
关键词
ZNO薄膜
折射率
a1掺杂
溶胶-凝胶
Kramers—Kronig色散关系
Keywords
ZnO thin films
refractive index
Al-doped
sol-gel
Kramers-Kronig relationship
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
溶胶一凝胶法制备ZnO:Al导电薄膜的研究
被引量:
1
3
作者
孙福来
谭红琳
机构
昆明理工大学材料与冶金学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期824-826,共3页
文摘
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性能。实验发现:当Al^3+离子掺杂浓度为2%(原子分数),前处理温度为220℃、退火温度为580℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为1.76×10^-3Ω-cm,其在可见光的平均透射率在80%左右。
关键词
溶胶-凝胶法
ZNO
a1
^3+离子
掺杂
透明导
电薄膜
Keywords
sol-gel
ZnO
Al^3+-doped
transparent-conductingfilms
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
A1N薄膜的发光性能
4
作者
蔡明
邱万奇
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《中国科技成果》
2009年第10期31-34,36,共5页
文摘
本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级返回到低能级时发光的过程称为光致发光过程,光源可为紫外线、红外线、可见光、X射线等。
关键词
a1
N
掺杂
电致发光
光致发光
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
A1掺杂半导体Mg_2Si薄膜的制备及光学带隙研究
王善兰
廖杨芳
房迪
吴宏仙
肖清泉
杨云良
谢泉
《量子电子学报》
CSCD
北大核心
2017
5
下载PDF
职称材料
2
掺铝对ZnO薄膜光学常数的影响
洪伟铭
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
下载PDF
职称材料
3
溶胶一凝胶法制备ZnO:Al导电薄膜的研究
孙福来
谭红琳
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
4
A1N薄膜的发光性能
蔡明
邱万奇
《中国科技成果》
2009
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部