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A1N薄膜的发光性能
1
作者
蔡明
邱万奇
《中国科技成果》
2009年第10期31-34,36,共5页
本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级...
本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级返回到低能级时发光的过程称为光致发光过程,光源可为紫外线、红外线、可见光、X射线等。
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关键词
a1n掺杂
电致发光
光致发光
原文传递
题名
A1N薄膜的发光性能
1
作者
蔡明
邱万奇
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《中国科技成果》
2009年第10期31-34,36,共5页
文摘
本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级返回到低能级时发光的过程称为光致发光过程,光源可为紫外线、红外线、可见光、X射线等。
关键词
a1n掺杂
电致发光
光致发光
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
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1
A1N薄膜的发光性能
蔡明
邱万奇
《中国科技成果》
2009
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