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ACRT-B法晶体生长过程的传质模型 被引量:1
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作者 刘晓华 郭喜平 +2 位作者 介万奇 徐嵬 周尧和 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期357-362,共6页
基于对ACRT-B法晶体生长时对流及传质特性的认识,提出了ACRT-B法晶体生长过程的一维传质模型得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡区轴向成分分布的解析解定量计算结果表明,与传统Bridgman法相比,在生长参数不变的条件下,运用A... 基于对ACRT-B法晶体生长时对流及传质特性的认识,提出了ACRT-B法晶体生长过程的一维传质模型得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡区轴向成分分布的解析解定量计算结果表明,与传统Bridgman法相比,在生长参数不变的条件下,运用ACRT会失去部分轴向成分均匀区在保证ACRT提高结晶度及径向成分均匀性的前提下,适当提高生长速度,选择尽可能小的坩埚最大转速面Δωmax或选用长径比更大的坩埚。 展开更多
关键词 晶体生长 acrt-b 传质模型
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ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性
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作者 常永勤 介万奇 +2 位作者 郭喜平 陈福义 安卫军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期638-639,642,共3页
研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分... 研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分布 ;通过数学方法处理实验数据得到Mn ,Cd和In的分凝因数在α相区分别为 1.2 86、1.92 5 7和 0 .72 94,在 β相区则分别为1.12、1.0 5 5和 0 .985。 展开更多
关键词 MnxCd1-xIn2Te4晶体 acrt-b 界面 分凝因数 磁性半导体
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Composition Distribution in the MnxCd(1-x)In2Te4 Ingot Grown by ACRT-B Method
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作者 Yongqin CHANG, Wanqi JIE, Xiping GUO, Fuyi CHEN and Weijun ANState Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第6期610-612,共3页
MnxCd1-xln2Te4 (x=0.1) ingot was successfully grown by the modified Bridgman technique, which applied the accelerated crucible rotation technique (ACRT) in Bridgman process, or briefly ACRT-B. The growth interface pro... MnxCd1-xln2Te4 (x=0.1) ingot was successfully grown by the modified Bridgman technique, which applied the accelerated crucible rotation technique (ACRT) in Bridgman process, or briefly ACRT-B. The growth interface profile shape and the composition distribution in the MnxCd1-xln2Te4 (x=0.1) ingot were analyzed. Even though the stoichiometric composition was synthesized in the original ingot, the composition has been redistributed during the ACRT-B growth process. Mn and Cd contents decrease while In increases along the longitudinal axis. The partition ratios of solutes Mn, Cd and In at the growth interface are evaluated by a mathematical method based on the experimental data, which are found to be 1.286, 1.926 and 0.729 in α phase growth process, and 1.120, 1.055 and 0.985 in β phase growth process, respectively. In the radial direction, Mn and Cd contents increase while In decreases with the distance from the centerline of the ingot. 展开更多
关键词 MnxCd1-xIn2Te4 acrt-b Composition distribution Partition ratio
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Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析
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作者 常永勤 谷智 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期14-19,共6页
采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CM... 采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0 展开更多
关键词 Cd1-xMnxTe BRIDGMAN法 acrt-b 微裂纹 位错 晶体生长 单晶 镉锰碲化合物 半导体材料 缺陷
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Zn-2.75%Cu合金定向凝固组织及对流的影响 被引量:1
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作者 张瑞杰 徐嵬 介万奇 《铸造技术》 CAS 北大核心 2001年第2期52-54,共3页
研究了Zn 2 .75 %Cu合金在传统Bridgeman法和ACRT B法下定向凝固组织的差别。着重讨论了生长速度和液相强制对流对Zn Cu包晶定向凝固组织的影响。实验发现 ,在Bridgeman法定向凝固过程中 ,生长速度的增加使得液相中的温度梯度减小 ,一... 研究了Zn 2 .75 %Cu合金在传统Bridgeman法和ACRT B法下定向凝固组织的差别。着重讨论了生长速度和液相强制对流对Zn Cu包晶定向凝固组织的影响。实验发现 ,在Bridgeman法定向凝固过程中 ,生长速度的增加使得液相中的温度梯度减小 ,一次枝晶间距减小 ,一次枝晶间距与生长速度和温度梯度的关系式为 :λ1=0 .6 0 6 4R-0 .2 5GL-0 .5。强制对流使得一次枝晶发生分叉和偏转。并且随着对流强度的加大 ,一次枝晶间距降低 ,二次枝晶的生长被抑制。包晶反应的存在 ,使得枝晶的尖端和二次枝晶熔解 。 展开更多
关键词 定向凝固 强制对流 ACRT技术 锌铜合金 包晶
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稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术
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作者 马国立 郭喜平 介万奇 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第3期31-34,共4页
CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统... CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。本文采用ACRT—B技术来进行晶体生长,使混料和长晶一次完成。 展开更多
关键词 acrt-b 半导体 稀释磁性半导体 镉锰碲 单晶
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