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阻挡层电容对ACu_3Ti_4O_(12)巨介电性能的影响研究 被引量:21
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作者 周小莉 杜丕一 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期354-358,共5页
用固相反应法成功地制备了ACu3Ti4 O1 2 (A =Ca ,La,Y)系列陶瓷 ,在 5 0— 30 0K温区内测量了样品的介电性能 ,分析了交流电导与外场频率、温度的关系 .发现在相同组分的CaCu3Ti4 O1 2 晶体中相对含量大于等于 0 776时 ,样品的相对介... 用固相反应法成功地制备了ACu3Ti4 O1 2 (A =Ca ,La,Y)系列陶瓷 ,在 5 0— 30 0K温区内测量了样品的介电性能 ,分析了交流电导与外场频率、温度的关系 .发现在相同组分的CaCu3Ti4 O1 2 晶体中相对含量大于等于 0 776时 ,样品的相对介电常数可达 10 4 ;而A位上价态为 3+的化合物La2 3Cu3Ti4 O1 2 和Y2 3Cu3Ti4 O1 2 相对介电常数仅为 10 3.分析表明 ,样品中内部阻挡层电容数目的多少直接对ACu3Ti4 O1 2 的相对介电常数产生影响 .电导与温度及频率的关系是由电子。 展开更多
关键词 acu3ti4o12 晶相含量 阻挡层电容 晶体 相对介电常数
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