由RTD/MOSFET构成的新型振荡电路

基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性.该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题,如果进一步用高电子迁移率晶体管(HEMT)等高频、高速器件取代MOS-FET,可以在很大程度上提高这一电路的工作频率,并可实现RTD/HEMT的单片集成.因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景.

小型化模块化低噪声放大器设计

为了便于工程化生产与设备维护,采用频率补偿匹配网络的电路结构,设计3种小型化模块化的低噪声放大器,外形尺寸为12.7 mm×12.7 mm×2 mm,工作频段分别为1.1～1.7 GHz、1.7～2.4GHz和2.4～3.0 GHz。基于单个晶体管ATF-54143进行电路直流偏置、输入输出匹配和稳定性等设计,运用EDA工具ADS对放大器进行线性与非线性性能仿真,对印制板进行电磁场与电路的混合仿真及元件参数优化。完成放大器的装配、调试与测量,实测噪声系数〈1.5 dB,增益平坦度〈2.2 dB,满足设计要求。