大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析

通过 AFM针尖诱导氧化加工 Ti膜的实验得到了凸出的 Ti膜氧化物高度与偏置电压成线性关系 ,并和针尖扫描速度成负对数关系 ,在前人的基础上深化了 AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型 ,分析得到了合适的加工条件即 :偏压为 8V,扫描速度为 0 .1μm/ s.

大气湿度对AFM针尖氧化加工金属Ti膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的Ti纳米氧化线,是基于Ti膜-半导体纳米器件的基础,由大气湿度决定的Ti膜表面水吸附层的厚度,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。通过大量实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好湿度范围为30%～50%。

AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工

用原子力显微镜(AFM)研究了电场诱导氧化理论以及偏置电压和脉冲时间对加工结构尺寸的影响。通过实验得出了偏压、脉冲时间越大,加工尺寸越大的结论。并总结出氧化加工Si较好的参数范围。

AFM诱导氧化加工Si纳米氧化线的一致性和连续性的研究

研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。

用于纳米光电子器件加工的纳米金属膜的制作

在利用 Top- Down方式加工纳米电子器件和纳米光电子器件的研究中 ,纳米薄膜的制作和加工技术是一个关键环节。采用金属 Ti- SOS结构的纳米器件 ,Ti膜的厚度和成膜质量成为影响基于 AFM针尖诱导氧化加工 Ti纳米氧化线 /电路图形结构质量的重要因素。文中叙述了 Ti膜的制备和检测方法 ,给出了纳米

AFM加工的Ti纳米氧化钛线的直线度分析

为了与微电子加工工艺相结合,基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。Ti氧化线的直线度决定了加工的纳米器件的形状,从而影响纳米器件的工作特性。在偏置电压8 V、扫描速度0.1μm/s的条件下,在7μm×7μm的范围内从左到右每隔1μm加工了6条5μm长的Ti纳米氧化线,研究了针尖磨损和压电陶瓷扫描器等因素对加工的Ti氧化线的直线度的影响,原子力显微镜(AFM)扫描范围的中间位置加工的Ti氧化线的高度和宽度的一致性与直线度最好。