AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨

利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值。腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10μm左右,证实AGGS为一热释电晶体。然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性。本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议。