AGZO薄膜晶体管的制备及其光电特性

通过磁控共溅射的方法在热氧化SiO 2衬底上沉积了铝镓共掺杂氧化锌(AGZO)薄膜,并且制备了底栅型结构的AGZO薄膜晶体管(AGZO TFTs),分析不同Al靶材溅射功率对薄膜的表面形貌、粗糙度以及透射率和光学带隙的影响,研究AGZO TFTs的电学性能和紫外探测性能.实验结果表明,AGZO薄膜在可见光区域平均透过率均超过95%,并且可以通过控制Al靶材的溅射功率调控薄膜的光学带隙.当Al靶材溅射功率为20 W时,制备所得的AGZO TFTs的电学性能最优,其阈值电压为0.96 V,电流开关比达到了2.3×107.同时,AGZO TFTs的光电性能也较为优良,在365 nm的紫外光照射下,其响应度为105.9 A/W,光暗电流比为7.7×105,探测度为1.46×1012 Jones.

磁控共溅射制备AGZO薄膜及性能分析

采用两靶共溅射的方法,分别采用GZO靶材及Al靶材,在不同的Al靶材溅射时间下制备AGZO薄膜。测试分析了不同Al靶溅射时间下,AGZO薄膜晶体结构、成分及相关性能的变化。其中当铝靶溅射时间为5分钟时制得的薄膜具有最优性能。