氮化铝薄膜结构和表面粗糙度的研究

采用直流磁控溅射的方法 ,在 Si(111)基片上沉积 Al N(10 0 )面择优取向薄膜 ,研究了溅射功率对 Al N薄膜结构及表面粗糙度的影响。结果表明 ,随着溅射功率的增加 ,沉积速率增大 ,但薄膜结构择优取向度变差 ,表面粗糙度增大 ,这说明要制备择优取向良好、表面粗糙度小的 Al N薄膜 ,需选择较小的溅射功率。

中频磁控反应溅射AlN薄膜及微观结构研究

采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明,通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜。在化合物沉积模式下,增加溅射功率和增加反应气体流量均有利于获得非晶态AlN薄膜,并且减小薄膜表面粗糙度,获得光滑的AlN薄膜,并采用薄膜生长原理对这种现象进行了解释。