AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

研究了ＡｌＮ基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现，膜电阻率随温度变化呈现出从ＮＴＣ过渡到ＰＴＣ的Ｕ型特性，转折温度ＴＭ的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明：晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值，极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。