用几何靶溅射方法制备AISb多晶薄膜

采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30℃和200℃),然后在N_2气氛下,300～540℃,对沉积的薄膜进行退火。用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形貌。结果表明:几何靶可以很好地控制薄膜中Al和Sb原子的比例。制备的AlSb薄膜经过退火之后形成了面心立方结构的AlSb半导体化合物,平均晶粒大小约28nm。较高的退火温度有利于AISb薄膜的晶粒生长。