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Poly-Si TFT制备工艺
被引量:
4
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作者
刘晓彦
孙卫
+2 位作者
关旭东
翟霞云
韩汝琦
《光电子技术》
CAS
1997年第1期5-8,共4页
在有源矩阵液晶显示中,目前倍受重视的应数多晶硅有源矩阵液晶显示技术。本文较详细地给出了高温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺及其特性,并分析讨论了制备条件对多晶硅薄膜晶体管各种参数的影响。
关键词
有源矩阵
液晶显示
多晶硅
薄膜晶体管
amlcd
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职称材料
题名
Poly-Si TFT制备工艺
被引量:
4
1
作者
刘晓彦
孙卫
关旭东
翟霞云
韩汝琦
机构
北京大学微电子所
出处
《光电子技术》
CAS
1997年第1期5-8,共4页
文摘
在有源矩阵液晶显示中,目前倍受重视的应数多晶硅有源矩阵液晶显示技术。本文较详细地给出了高温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺及其特性,并分析讨论了制备条件对多晶硅薄膜晶体管各种参数的影响。
关键词
有源矩阵
液晶显示
多晶硅
薄膜晶体管
amlcd
Keywords
amlcd
,
polysilicon
,
tft
,
fabrication
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Poly-Si TFT制备工艺
刘晓彦
孙卫
关旭东
翟霞云
韩汝琦
《光电子技术》
CAS
1997
4
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