AMR磁栅尺磁头输出波形的半次谐波现象与分析

对采集到的AMR磁栅尺磁头输出波形进行了付里叶谐波分析,发现了波形中的半次谐波现象.对该现象产生的原因以及半次谐波幅度与磁头水平偏角的关系进行了定性分析.磁头水平偏角为零时输出波形不含半次谐波,磁头水平偏角越大,半次谐波幅度就越高;在偏角小于3°的小角度范围内,两者之间基本上是一个线性关系;磁头水平偏角的正负变化会引起半次谐波项正负的变化.结果对正确使用AMR薄膜磁电阻磁头,提高磁栅尺测量系统的精度有指导意义.

一种具有消谐波正弦输出的AMR薄膜磁头设计

设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头,这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试,表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比,可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器角度测量系统中。

AMR传感器在UBM线性扫描探头中的应用

根据各向异性磁电阻(AMR)传感器的基本原理,提出一种非接触式测量活体超声显微镜(UBM)中超声换能器线性位移的方法。通过单片机PIC16F1827和AMR组成的硬件电路对AMR线性传感器数据进行采集,利用单片机对采集到的数据进行数字滤波、线性校正,输出控制信号。实验表明:基于AMR传感器检测位移的方法能够精确检测超声换能器的位移,实时性好。

制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响

NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。

磁电阻材料及其应用的研究进展

本文综述了磁电阻 (MR)材料的研究进展 ,并对目前研究热点的四类巨磁电阻 (GMR)材料进行了概括评述 ,侧重论述MR材料在信息存储等领域的应用 。

基于磁阻传感器的车辆检测算法综述

磁阻传感器将车辆引起的地磁扰动转换为清晰的电压信号,采用阈值算法可得到交通流量、车长、车速等多种信息。地磁检测器是环形线圈的理想代替技术,国内外许多学者对基于地磁车辆检测器的检测算法展开了研究。结合国内外的研究状况根据研究对象对算法进行分类,并总结算法存在的问题,最后提出相应的解决办法。

各向异性磁电阻传感器Barber电极的优化设计

利用ANSYS软件对各向异性磁电阻(AMR)传感器不同取向的Barber电极进行分析和计算,得到不同取向Barber电极的磁电阻相对变化率随归一化磁场的变化曲线,从而为改善具有Barber电极的AMR传感器输出曲线的对称性、优化AMR传感器的输出特性提供了理论依据。

主动蓄冷室温磁制冷机制冷能力的简易解析计算方法

提出了一种主动磁蓄冷室温磁制冷机的制冷量解析计算的简易方法,并以此方法计算了理想线性温度场情况下的制冷量,得到了对制冷量有影响的参量间的关系。研究发现每个周期的制冷能力和磁制冷剂磁热效应引起的绝热温度变化的平方成正比,或者说,和磁制冷剂的绝热温度变化与绝热熵变的乘积成正比;此外和主动式磁蓄冷机工作床的温度跨度成反比。在线性温度场的理想情况下,体积热容量较低的热交换流体在一定程度上有利于制冷量的提高。

微弱磁场测量的各向异性磁电阻传感器

该文介绍了一种利用半导体标准工艺制作的Ni Fe薄膜AMR传感器,并着重对电阻变化率关于0磁场对称特性进行了研究。论文详细介绍了利用两次磁控溅射获得传感器的四层结构,并对其进行了在变化磁场下电阻变化率的测量,通过对比未加入barber电极的对照组,由测试结果得出采用了barber电极的传感器成功改善了传感器在微弱磁场下的线性度,使其在-15-15Oe大小的磁场下的R2值为0.9976,使器件具有与集成电路芯片集成的性能。

自旋阀中的各向异性磁电阻效应

采用平面霍尔效应测量方法 ,对Ta(8nm) NiFe(7nm) Cu(2. 4nm) NiFe(4. 4nm) FeMn(14nm) Ta(6nm)自旋阀多层膜进行了研究 .结果表明 ,在样品中存在着自由层和被钉扎层之间的各向异性磁电阻的“混合”效应 .与通常所采用的磁电阻测量方法相结合 ,平面霍尔效应的测量可以给出自旋阀中各向异性磁电阻以及自由层和被钉扎层的磁矩随外场变化的更多信息 .