期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
AP-CVD法制备的二氧化钛薄膜结构及亲水性研究 被引量:1
1
作者 刘鹏 汪建勋 +1 位作者 翁文剑 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期60-62,共3页
基于实现在线镀膜的目的,研究了以TiCl4为钛源,用AP-CVD法在玻璃基板上制备TiO2薄膜的工艺.利用扫描电子显微(SEM)技术和X射线衍射(XRD)技术,研究了不同基板反应温度下薄膜的表面形貌和晶体结构,分析了表面形貌和结构对亲水性的影响.结... 基于实现在线镀膜的目的,研究了以TiCl4为钛源,用AP-CVD法在玻璃基板上制备TiO2薄膜的工艺.利用扫描电子显微(SEM)技术和X射线衍射(XRD)技术,研究了不同基板反应温度下薄膜的表面形貌和晶体结构,分析了表面形貌和结构对亲水性的影响.结果表明通过改变反应温度可以控制锐钛矿和金红石的相对量,薄膜的亲水性和表面形貌、粗糙度有密切的关系. 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 ap-cvd 亲水性 TICL4
下载PDF
CVD两步法生长ZnO薄膜及其光致发光特性 被引量:5
2
作者 孟祥东 林碧霞 +4 位作者 洪亮 朱俊杰 孙贤开 徐瑾 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期792-796,共5页
用CVD两步法在常压下于p型Si(100)衬底上沉积出具有较好择优取向的多晶ZnO薄膜。在325nm波长的光激发下,室温下可观察到显著的紫外光发射(峰值波长381nm)。高温退火后氧空位缺陷浓度增加,出现了一个450—600nm的绿光发光带,发光... 用CVD两步法在常压下于p型Si(100)衬底上沉积出具有较好择优取向的多晶ZnO薄膜。在325nm波长的光激发下,室温下可观察到显著的紫外光发射(峰值波长381nm)。高温退火后氧空位缺陷浓度增加,出现了一个450—600nm的绿光发光带,发光峰值在510nm。作为比较,用一步法生长的ZnO薄膜结晶质量稍差。在其PL谱中不仅有峰值波长389nm的紫外发射而且还出现了一个很强的蓝光发光中心(峰值波长437nm),退火后同样产生绿光发光带。对这两种绿光发光带的发光机制进行了研究,认为前者源于VO,而后者与OZn有密切的关系。 展开更多
关键词 两步法常压CVD ZNO薄膜 光致发光 发光机制
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部