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矿用SiC-MOSFET充电器驱动电路的设计
被引量:
2
1
作者
张全柱
敬昌国
邓永红
《华北科技学院学报》
2020年第6期59-64,76,共7页
针对矿用井下充电器存在规格多、体积大、质量大、效率低等问题,本文选择在主电路拓扑结构中采用碳化硅器件。依据碳化硅器特性,本文采用集成驱动核设计了一款驱动电路,分析了碳化硅驱动电路的技术特点,计算了驱动功率,给出了驱动电路...
针对矿用井下充电器存在规格多、体积大、质量大、效率低等问题,本文选择在主电路拓扑结构中采用碳化硅器件。依据碳化硅器特性,本文采用集成驱动核设计了一款驱动电路,分析了碳化硅驱动电路的技术特点,计算了驱动功率,给出了驱动电路的设计原理图。实验结果表明:设计的SiC-MOSFET驱动电路有较好的可靠驱动能力,具有较好的保护能力。
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关键词
SiC-MOSFET
apd202
驱动电阻
驱动电路
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职称材料
题名
矿用SiC-MOSFET充电器驱动电路的设计
被引量:
2
1
作者
张全柱
敬昌国
邓永红
机构
华北科技学院信息与控制技术研究所
出处
《华北科技学院学报》
2020年第6期59-64,76,共7页
基金
中央高校基本科研业务费资助项目(3142020040)。
文摘
针对矿用井下充电器存在规格多、体积大、质量大、效率低等问题,本文选择在主电路拓扑结构中采用碳化硅器件。依据碳化硅器特性,本文采用集成驱动核设计了一款驱动电路,分析了碳化硅驱动电路的技术特点,计算了驱动功率,给出了驱动电路的设计原理图。实验结果表明:设计的SiC-MOSFET驱动电路有较好的可靠驱动能力,具有较好的保护能力。
关键词
SiC-MOSFET
apd202
驱动电阻
驱动电路
Keywords
SiC-MOSFET
apd202
drive resistance
drive circuit
分类号
TM133 [电气工程—电工理论与新技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
矿用SiC-MOSFET充电器驱动电路的设计
张全柱
敬昌国
邓永红
《华北科技学院学报》
2020
2
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