消痰解郁方对乳腺癌前病变MCF-10AT细胞PI3K/Akt通路的影响及机制

目的探讨消痰解郁方对乳腺癌前病变MCF-10AT细胞PI3K/Akt信号通路的影响及机制。方法将MCF-10AT细胞分为消痰解郁方组、PI3K激酶选择性抑制剂LY294002组(抑制剂组)、消痰解郁方+抑制剂组和对照组。给予相应药物干预24、48h后,采用CCK-8法观察各组细胞增殖及生长情况;药物干预48h后,采用流式细胞仪检测各组细胞周期变化,用蛋白质印迹法检测各组细胞PTEN、PI3K、Akt蛋白表达变化。结果药物干预24和48h后,消痰解郁方组、抑制剂组和消痰解郁方+抑制剂组MCF-10AT细胞增殖受到抑制,且消痰解郁方+抑制剂组抑制率高于消痰解郁方组和抑制剂组,差异有统计学意义(P<0.05);药物干预48h后,消痰解郁方组、抑制剂组和消痰解郁方+抑制剂组MCF-10AT细胞G0/G1期细胞比例增高,S期及G2/M期细胞比例下降,与对照组比较差异有统计学意义(P<0.05),其中消痰解郁方+抑制剂组与其他各组相比差异有统计学意义(P<0.05);药物干预48h后,消痰解郁方组、抑制剂组、消痰解郁方+抑制剂组PI3K、p-Akt蛋白表达较对照组减弱,PTEN蛋白表达较对照组增强,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论消痰解郁方可能通过抑制PI3K/AKT信号通路发挥其对MCF-10AT细胞的抑制及促凋亡作用。

时间因素对电离辐射后AT细胞hTERT mRNA表达的影响

目的研究时间因素对电离辐射后共济失调性毛细血管扩张(ataxia telangiectasia,AT)综合征患者皮肤的成纤维细胞系AT细胞(AT5BIVA)hTERT mRNA表达的影响。方法以源于正常人皮肤的成纤维细胞系GM细胞(GM0639)为对照,细胞经5 Gy(剂量率1.0 Gy/min)60Coγ射线照射后继续培养2、24、48、72 h,应用RT-PCR法,观察AT细胞、ATM+-AT细胞和GM细胞的hTERT mRNA表达的变化。结果照射后细胞hTERTmRNA的表达随培养时间的增加而增加;AT细胞hTERT mRNA的相对表达量高于ATM+-AT细胞和GM细胞(P<0.05),后两者无显著性差异(P>0.05)。结论电离辐射能诱导细胞hTERT mRNA的持续表达;ATM能下调AT细胞hTERT mRNA的表达。

ATM对辐射后AT细胞端粒酶活性的影响

目的:探讨ATM对电离辐射照射的毛细血管扩张共济失调症(ataxia telangiectasia,AT)患者皮肤的成纤维细胞系AT细胞(ATSBIVA)端粒酶活性的影响。方法:以源于正常人皮肤的成纤维细胞系GM细胞(GM0639)为对照,应用基于PCR的端粒重复扩增技术(telomeric repeat amplification protocal,TRAP)与高效液相色谱(HPLC)技术,定量分析细胞分别经0、1、3、5 Gy 60Coγ射线照射后以及经3 Gy 60Coγ射线照射后继续培养2、24、48、72 h,AT、空载体AT、ATM+-AT和GM细胞的端粒酶活性的变化。结果:未照射时,除GM细胞外,AT、空载体AT、ATM+-AT细胞均呈现较高的端粒酶活性表达,但ATM+-AT细胞的端粒酶活性明显低于AT和空载体AT细胞的端粒酶活性(P<0．01),而后二者无明显差异(P> 0．05);电离辐射照射后,AT、空载体AT、ATM+-AT和GM细胞的端粒酶活性均呈剂量依赖性和时间依赖性增强,且在相同剂量点与时间点,ATM+-AT细胞的端粒酶活性高于GM细胞(P<0．01)(除5 Gy计量点外),但低于AT和空载体AT细胞(P<0．01),而后二者无明显差异(P>0．05)。结论:电离辐射可诱导细胞端粒酶活性表达;并且细胞端粒酶活性水平随剂量与时间的增加而增加;ATM可下调AT细胞端粒酶活性水平。推测端粒酶参与电离辐射诱导DNA损伤的修复。

AT细胞中端粒的研究进展

AT病是一种隐性遗传病 ,主要表现为基因组不稳定和端粒缩短。本文主要阐述在 AT细胞中 ,端粒、端粒结合蛋白与 ATM蛋白相互作用 ,影响 AT细胞的基因组不稳定性 ,从而对

AT细胞特征及纠正细胞基因缺陷的研究

实验证明一株经SV 40病毒转化的毛细血管扩张性共济失调症病人的皮肤成纤维细胞AT 5 BIVA,对电离辐射和博莱霉素高度敏感,对γ射线诱发的DNA合成抑制呈抗性。本文尝试用DNA介导基因转移法向AT细胞导入人基因组DNA或其酶切片段,未能获得稳定的对γ射线抗性的转化细胞。染色体核型分析证实AT 5 BIVA细胞的第11号染色体中的一条缺失或异常。本文对外源目的基因未能稳定植入AT细胞的原因进行了讨论。

AT细胞对电离辐射敏感原因的探讨

AT细胞具有对电离辐射和拟辐射物质的高敏感性以及DNA合成抑制抗性,存在复杂的基因异质性。本文从AT细胞的遗传学互补性分析、DNA损伤修复缺陷以及DNA拓扑酶学研究三方面对AT细胞辐射敏感性的分子机理等进行了讨论,认为DNA双链路复缺陷与重接忠实性下降可能足AT细胞电离辐射敏感性的原因。

ATM基因对^(60)Co γ射线照射后AT细胞hTERT表达的影响

目的研究外源性ATM基因对电离辐射照射的毛细血管扩张-共济失调症(ataxiatelangiectasia,AT)患者皮肤的成纤维细胞系AT细胞(AT5BIVA)hTERT mRNA和蛋白表达的影响。方法以正常人皮肤的成纤维细胞系GM细胞(GM0639)为对照,应用RT-PCR与Western blot实验方法,观察经0、1、3和5Gy(剂量率1.0Gy/min)60Coγ射线照射后,AT细胞、空载体AT细胞、ATM+-AT细胞和GM细胞的hTERT mRNA和蛋白表达的变化。结果未照射时,除GM细胞外,其余各细胞均有hTERTmRNA和蛋白的表达;ATM+-AT细胞的hTERTmRNA和蛋白表达量较AT细胞明显下降(P<0.05);ATM+-AT细胞的hTERT mRNA和蛋白表达量仍然明显高于GM细胞的hTERT mRNA表达量。在1～5Gy剂量范围内,AT、空载体AT、ATM+-AT和GM细胞的hTERT mRNA和蛋白表达量呈剂量依赖性增加;在相同照射剂量点,ATM+-AT细胞的hTERT mRNA表达量较AT细胞均有明显降低(P<0.05)。结论电离辐射可诱导细胞hTERT mRNA和蛋白的表达;并且细胞hTERT mRNA和蛋白表达量呈剂量依赖性增加;外源性ATM基因可下调AT细胞hTERT mRNA和蛋白的表达。推测端粒酶参与电离辐射诱导DNA损伤的修复。

AT细胞系辐射敏感性与细胞凋亡的相关研究

目的 探讨AT细胞高辐射敏感性与细胞凋亡之间的联系。方法 以液体闪烁测量法测3H-TdR掺入百分率来观察^60Co γ射线照射对AT5BIVA（AT）和GM0639（GM）细胞增殖的影响;实验于照射后0、24、48和72 h,用细胞流式术动态检测AT和GM细胞的自发凋亡率及^60Co γ射线照射诱发的凋亡率。结果 ^60Co γ射线0～6 Gy照射后,AT和GM两种细胞3H-TdR掺入百分率均呈剂量依赖性降低,且AT细胞降低得比GM细胞快,两种细胞3H-TdR掺入百分率与受照射剂量间可拟合成指数方程：SAT=0.9718e^-0.6855D（R^2=0.9950）、SGM=1.0928e^-0.3731D（R^2=0.9777）;AT细胞的自发凋亡率高于GM细胞;2～6 Gy照后24 h,两种细胞由辐射诱发的凋亡率均随照射剂量增大而升高,且在同一剂量点,前者凋亡率高于后者;2 Gy照射后0～72 h,AT和GM细胞的凋亡率均呈时间依赖性增加,且随照后时间延长两者间差异逐步增大,在72 h达到显著水平。结论 AT细胞高辐射敏感性与其较高的自发及辐射诱发的凋亡密切相关。

微细胞介导染色体转移法提高AT5 BIVA细胞对电离辐射的抗性

ＡＴ５ＢＩＶＡ细胞是一株经ＳＶ４０病毒转化的ＡＴ病人皮肤成纤维细胞，对γ射线高度敏感。实验用ＦＤ３（含人第１１号染色体的人鼠杂种细胞）、ＦＤ８（不含人第１１号染色体的人鼠杂种细胞）、ＬＭ／ＴＫ鼠细胞）为洪体，通过微细胞介导染色体转移（ＭＭＣＴ）向ＨＴ５ＢＩＶＡ细胞导入人或鼠的完整染色体，经两次３Ｇｙγ射线照射筛选后，获得ＡＴ５ＢＩＶＡ与ＦＤ３微细胞融合的杂合细胞ＡＴ／ＦＤ３－１，对γ射线抗性有显著提高。而ＦＤ８或ＬＭ／ＴＫ的微细胞与ＡＴ５ＢＩＶＡ细胞的杂合细胞，对γ射线抗性未增加。枝型分析表明ＡＴ／ＦＤ３—１细胞中包含了来源于ＦＤ３细胞的人第１１，１４号染色体和数条鼠染色体。通过对照实验，排除了人１４号和鼠染色体提高ＡＴ／ＦＤ３－１细胞对γ射线抗性的可能性．确认人第１１号染色体与ＡＴ细胞对电离辐射敏感性相关，提示人第１１号染色体上可能存在决定细胞对γ射线抗性的相关基因。

导入人HeLa—S3DNA改善AT细胞对γ线辐射敏感性的初步研究

人毛细血管扩张性共济失调(Ataxia tanglectasia,简称AT)是一种常染色体隐性遗传病,患者对Υ线,X线高度敏感,神经功能异常,免疫功能部分缺陷,染色体崎变率高,易诱发肿瘤。AT患者的皮肤成纤维细胞是已知对电离辐射敏感的DNA修复缺陷的人细胞株。

用染色体畸变研究AT细胞系辐射敏感性和适应性反应

目的探讨毛细血管扩张运动共济失调症(ataxiatelangiectasia,AT)细胞系的辐射敏感性和对低剂量辐射能否诱导细胞遗传学适应性反应。方法用2cGy60Coγ射线预先照射进入G1期的AT5B1VA(AT)细胞和GM0639(GM)细胞,培养6h后再照射1.0Gy或3.0Gy60Coγ射线,分析染色体畸变。结果G1期的GM细胞在预照射2cGy60Coγ射线的诱导剂量后能非常显著地降低随后照射1.0Gy或3.0Gy60Coγ射线诱发的染色体畸变率,染色体畸变的观察值非常显著地低于预期值(P<0.001),而对AT细胞则没有观察到这种现象,染色体畸变的观察值与预期值差异无统计学意义(P>0.05);另外,1.0Gy或3.0Gy60Coγ射线诱发AT细胞的各种畸变率(包括着丝粒畸变、无着丝粒畸变和染色单体型畸变)均显著地高于GM细胞(P<0.001)。结论低剂量电离辐射不能诱导AT细胞产生细胞遗传学适应性反应;AT细胞对电离辐射诱发染色体畸变高度敏感,可能是由于不能正确修复DNA双链断裂的结果。

ATM与辐射激活的磷酸化P53、P21蛋白的相互作用

背景与目的:ATM基因属于PI-3K激酶家族成员,其编码蛋白具有调控DNA修复过程和调整细胞周期关卡的功能。毛细血管扩张性共济失调症(ataxia-telangiectasia,AT)患者AT细胞中ATM基因的突变导致了辐射诱发的P53、P21磷酸化缺失,说明辐射激活ATM基因可调控P53、P21的磷酸化。本实验利用免疫共沉淀及Westernblot技术来研究辐射激活的ATM基因与p53的关系,并观察ATM基因是否不通过P53而直接调控P21的磷酸化。方法:利用电穿孔技术将含有ATM基因cDNA的真核表达载体pEBS7-YZ5转染到AT细胞中,用潮霉素筛选以获得稳定表达细胞株,RT-PCR检测ATMcDNA的转录以进一步验证;在ATM稳定表达的AT细胞中,利用免疫共沉淀及Westernblot技术研究ATM基因与p53基因的相互关系;以K562细胞(p53突变)为p53突变细胞模型,研究ATM是否直接磷酸化P21。结果:pEBS7-YZ5成功转进AT细胞,RT-PCR检测到ATMcDNA片段;ATM稳定表达的AT细胞株在电离辐射诱导下,P53被磷酸化,免疫共沉淀显示ATM与P53相互作用;K562细胞经60Coγ射线照射后,P21被磷酸化,ATM抗体免疫共沉淀物中检测到P21蛋白的存在。结论:细胞遭受电离辐射作用后所激活的ATM激酶,可通过磷酸化P53继而活化细胞周期检控点P21蛋白,也可在电离辐射导致DNA损伤早期直接磷酸化P21蛋白,来启动DNA修复机制。

AT的辐射生物学研究近况

ＡＴ是辐射生物学的重要研究对象之一。本文从ＡＴ细胞的辐射反应、ＡＴ基因及其意义、ＡＴ的分子信号发生机理等方面讨论相关的研究近况。

英国研究人员提出免疫治疗癌症新方法

近日,英国研究人员发现,与传统免疫系统理论不同,Gamma DeltaT细胞可独立地发挥识别和杀死癌细胞的作用,从而可能开发免疫治疗癌症的新方法。传统理论认为,免疫系统有两大类,第一类为先天免疫,由一系列细胞和机制构成,可非特异性地识别并作用于非正常细胞;第二类是获得性免疫,是与特定病原体接触后,能识别并产生针对性的免疫反应。