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安捷伦科技推出6GHz增强模式PHEMT FET
1
《电子测试》
2003年第9期129-129,共1页
关键词
安捷伦科技公司
p
HEMT-FET
atf-501p8
增强模式伪形态高电子迁移率晶体管
场效应管
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职称材料
题名
安捷伦科技推出6GHz增强模式PHEMT FET
1
出处
《电子测试》
2003年第9期129-129,共1页
关键词
安捷伦科技公司
p
HEMT-FET
atf-501p8
增强模式伪形态高电子迁移率晶体管
场效应管
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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1
安捷伦科技推出6GHz增强模式PHEMT FET
《电子测试》
2003
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